[发明专利]薄膜太阳能电池及其制造方法

权利要求书

1.一种用于制造器件的吸收层的方法，所述方法包括以下步骤：

(a)提供包括位于衬底上的前体膜和金属背电极层的对象；

(b)在第一温度“T₁”下对所述对象实施持续第一时间段“Δt₁”的第一工艺，0分钟＜Δt₁≤300分钟；

(c)在第二温度“T₂”下对所述对象实施持续第二时间段“Δt₂”的第二工艺，其中，所述第二工艺包括将所述对象保持在惰性气体环境中，并且其中，T₁≤T₂，0分钟＜Δt₂≤300分钟；以及

(d)在第三温度“T₃”下对所述对象实施持续第三时间段“Δt₃”的第三工艺，0分钟＜Δt₃≤300分钟。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述器件是薄膜太阳能电池。

3.根据权利要求1所述的方法，其中，所述前体膜是金属前体。

4.根据权利要求3所述的方法，其中，所述金属前体包括选自由铜、镓、铟、硒、硫和它们的合金组成的组中的材料。

5.根据权利要求1所述的方法，其中，所述前体膜是CIS基半导体。

6.根据权利要求5所述的方法，其中，所述CIS基半导体包括五元Cu-III-VI₂族黄铜矿半导体。

7.根据权利要求5所述的方法，其中，所述CIS基半导体包括选自由CuInSe₂、CuGaSe₂、Cu(InGa)Se₂、CuInS₂、CuGaS₂、Cu(InGa)S₂、CuIn(Se,S)₂、CuGa(Se,S)₂、Cu(InGa)(Se,S)₂和它们的组合组成的组中的材料。

8.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第一工艺包括将所述对象保持在包含硒源的气体环境中，并且其中，200℃≤T₁≤800℃。

9.根据权利要求8所述的方法，其中，所述硒源是硒化氢。

10.根据权利要求1所述的方法，其中，在所述步骤(c)中，200℃≤T₂≤800℃。

11.根据权利要求10所述的方法，其中，所述惰性气体是氮气或氩气。

12.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第三工艺包括将所述对象保持在包含硫源的气体环境中，并且其中，200℃≤T₃≤600℃，并且其中，T₃≤T₂。

13.根据权利要求12所述的方法，其中，所述硫源是硫化氢。

14.一种用于制造器件的吸收层的方法，所述方法包括以下步骤：

(a)提供包括前体的对象；

(b)在第一温度“T₁”下，在惰性气体环境中将所述对象保持第一时间段“Δt₁”，其中，200℃≤T₁≤800℃且0分钟＜Δt₁≤300分钟；以及

(c)在第二温度“T₂”下，在包含硫源的气体环境中将所述对象保持第二时间段“Δt₂”，其中，200℃≤T₂≤600℃且0分钟＜Δt₂≤300分钟，并且其中，T₂≤T₁。

15.根据权利要求14所述的方法，其中，所述器件是薄膜太阳能电池，并且其中，所述前体是CIS基半导体或包括硒和/或硫的金属前体。

16.根据权利要求14所述的方法，其中，所述器件是薄膜太阳能电池。