[发明专利]电可擦可编程只读存储器及其形成方法、擦除方法

摘要

一种电可擦可编程只读存储器及其形成方法、擦除方法，其中，所述电可擦可编程只读存储器，包括半导体衬底，位于半导体衬底内具有沿第一方向排布的若干有源区；位于有源区上的字线；分别位于字线两侧的有源区上的浮栅介质层、位于浮栅介质层上的浮栅、位于浮栅上的控制栅介质层、位于控制栅介质层上的控制栅，所述浮栅的宽度大于有源区的宽度；位于字线和浮栅与控制栅之间的隔离氧化层；分别位于浮栅和控制栅的远离字线一侧的有源区内的位线掺杂区。本发明电可擦可编程只读存储器通过位线端擦除的方式，结构上改善浮栅对控制删和位线掺杂区的耦合系数，在实现按位擦写功能的同时提高擦写的性能。

主权项

一种电可擦可编程只读存储器的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底具有沿第一方向排布的若干有源区；在所述半导体衬底的有源区上形成浮栅多晶硅层，所述浮栅多晶硅层的宽度大于有源区的宽度；在所述浮栅多晶硅层的侧壁和顶部表面形成控制栅介质材料层；形成覆盖所述半导体衬底和控制栅介质材料层的控制栅多晶硅层；在所述控制栅多晶硅层上形成硬掩膜层，所述硬掩膜层中具有若干沿第二方向排布的第一开口，所述第一开口底部暴露出控制栅多晶硅层的表面，第二方向垂直于第一方向；在所述第一开口的侧壁形成第一侧墙；沿第一开口以所述第一侧墙为掩膜刻蚀所述控制栅多晶硅层、控制栅介质材料层和浮栅多晶硅层，形成第二开口；在所述第二开口的侧壁和底部形成隔离氧化层；在所述第一开口和第二开口内形成字线；去除所述硬掩膜层，以所述第一侧墙为掩膜，刻蚀剩余的控制栅多晶硅层、控制栅介质材料层和浮栅多晶硅层，形成位于字线两侧的有源区上的浮栅、位于浮栅上的控制栅介质层、位于控制栅介质层上的控制栅，所述浮栅的宽度大于有源区的宽度；在所述浮栅和控制栅的远离字线一侧的有源区内形成位线掺杂区，在进行擦除操作时，浮栅中的电子隧穿进入位线掺杂区。