[发明专利]电可擦可编程只读存储器及其形成方法、擦除方法

权利要求书

1.一种电可擦可编程只读存储器的形成方法，其特征在于，包括：

提供半导体衬底，所述半导体衬底具有沿第一方向排布的若干有源区；

在所述半导体衬底的有源区上形成浮栅多晶硅层，所述浮栅多晶硅层的宽度大于有源区的宽度；

在所述浮栅多晶硅层的侧壁和顶部表面形成控制栅介质材料层；

形成覆盖所述半导体衬底和控制栅介质材料层的控制栅多晶硅层；

在所述控制栅多晶硅层上形成硬掩膜层，所述硬掩膜层中具有若干沿第二方向排布的第一开口，所述第一开口底部暴露出控制栅多晶硅层的表面，第二方向垂直于第一方向；

在所述第一开口的侧壁形成第一侧墙；

沿第一开口以所述第一侧墙为掩膜刻蚀所述控制栅多晶硅层、控制栅介质材料层和浮栅多晶硅层，形成第二开口；

在所述第二开口的侧壁和底部形成隔离氧化层；

在所述第一开口和第二开口内形成字线；

去除所述硬掩膜层，以所述第一侧墙为掩膜，刻蚀剩余的控制栅多晶硅层、控制栅介质材料层和浮栅多晶硅层，形成位于字线两侧的有源区上的浮栅、位于浮栅上的控制栅介质层、位于控制栅介质层上的控制栅，所述浮栅的宽度大于有源区的宽度。

2.如权利要求1所述的一种电可擦可编程只读存储器的形成方法，其特征在于，所述有源区和浮栅多晶硅层的形成过程为：刻蚀所述半导体衬底，在半导体衬底中形成若干沿第一方向排布的凹槽；在凹槽中填充隔离材料，形成若干浅沟槽隔离结构，相邻浅沟槽隔离结构之间为有源区；在所述有源区上形成浮栅介质层；形成覆盖所述浮栅介质层和浅沟槽隔离结构的第一多晶硅层；刻蚀所述第一多晶硅层，在所述浮栅介质层和部分浅沟槽隔离结构上形成浮栅多晶硅层，所述浮栅多晶硅层的宽度大于有源区的宽度。

3.如权利要求2所述的一种电可擦可编程只读存储器的形成方法，其特征在于，所述浮栅多晶硅层的边缘与有源区边缘的距离为0.05～0.25微米。

4.如权利要求1所述的一种电可擦可编程只读存储器的形成方法，其特征在于，还包括：在所述浮栅和控制栅的远离字线一侧的侧壁上形成第二侧墙。

5.如权利要求4所述的一种电可擦可编程只读存储器的形成方法，其特征在于，还包括：在所述浮栅和控制栅的远离字线一侧的有源区内形成位线掺杂区，所述位线掺杂区的宽度小于浮栅的宽度。

6.一种电可擦可编程只读存储器，其特征在于，包括：

半导体衬底，位于半导体衬底内具有沿第一方向排布的若干有源区；

位于有源区上的字线；

分别位于字线两侧的有源区上的浮栅介质层、位于浮栅介质层上的浮栅、位于浮栅上的控制栅介质层、位于控制栅介质层上的控制栅，所述浮栅的宽度大于有源区的宽度；

位于字线和浮栅与控制栅之间的隔离氧化层；

分别位于浮栅和控制栅的远离字线一侧的有源区内的位线掺杂区。

7.如权利要求6所述的一种电可擦可编程只读存储器，其特征在于，所述浮栅的边缘与有源区边缘的距离为0.05～0.25微米。

8.如权利要求6所述的一种电可擦可编程只读存储器，其特征在于，相邻有源区之间的半导体衬底内的还形成有浅沟槽隔离结构。

9.一种如权利要求6所述的电可擦可编程只读存储器的擦除方法，其特征在于，包括：

在所述字线上施加零电压；

在字线一侧的控制栅上施加负电压，字线另一侧的控制栅上施加零电压；

在施加负电压的控制栅一侧的位线掺杂区上施加正电压，在施加零电压的控制栅一侧的位线掺杂区上施加零电压；

对施加负电压的控制栅底部的浮栅进行擦除。

10.一种如权利要求9所述的擦除方法，其特征在于，所述控制栅上施加的负电压的大小为-6～-8伏，所述位线掺杂区上施加正电压的大小为3～5伏。