[发明专利]存储器及其形成方法

摘要

一种存储器及其形成方法，其中，存储器包括位于衬底表面的若干平行排列的存储栅结构，相邻存储栅结构之间具有交错排布的漏区沟槽和源区沟槽，源区沟槽底部的衬底内具有若干源区，漏区沟槽底部的衬底内具有若干漏区，源区表面具有第一硅化物层，漏区表面具有第二硅化物层；位于源区沟槽底部和靠近底部的部分侧壁表面的金属层；位于衬底和存储栅结构表面形成填充满源区沟槽和漏区沟槽的介质层；位于介质层内的第一导电结构和若干第二导电结构，若干第二导电结构分别位于若干第二硅化物层表面，第一导电结构位于源区沟槽内的金属层表面，且位于相邻的第一导电结构和第二导电结构之间具有预设距离。所述存储器的性能改善，稳定性和可靠性提高。

主权项

一种存储器的形成方法，其特征在于，包括：提供衬底，所述衬底表面具有若干平行排列的存储栅结构，相邻存储栅结构之间具有沟槽，所述沟槽包括至少一个源区沟槽和至少一个漏区沟槽，所述源区沟槽和漏区沟槽交错排布，所述源区沟槽底部的衬底内具有若干源区，相邻源区之间具有隔离结构，所述漏区沟槽底部的衬底内具有若干漏区，相邻漏区之间具有隔离结构，且相邻源区沟槽和漏区沟槽内的源区和漏区位置一一对应；在衬底和存储栅结构表面形成金属膜；采用退火工艺使金属膜内的金属原子向衬底内扩散，在源区表面形成第一硅化物层，在漏区表面形成第二硅化物层；在所述退火工艺之后，去除存储栅结构顶部表面、漏区沟槽侧壁和底部表面、以及位于源区沟槽侧壁表面且靠近源区沟槽顶部的部分金属膜，在源区沟槽底部和靠近底部的部分侧壁表面形成金属层，所述金属层与源区沟槽底部的若干第一硅化物层相接触；在去除部分金属膜之后，在衬底和存储栅结构表面形成填充满源区沟槽和漏区沟槽的介质层；在所述介质层内形成第一导电结构和若干第二导电结构，若干第二导电结构分别位于若干第二硅化物层表面，所述第一导电结构位于源区沟槽内的金属层表面，且位于相邻漏区沟槽和源区沟槽内的第一导电结构和第二导电结构之间具有预设距离。