[发明专利]非易失性半导体存储装置及存储系统

摘要

本发明涉及非易失性半导体存储装置及存储系统。提供可以管理不良区域的非易失性半导体存储装置、存储控制器及存储系统。具备阵列和对所述阵列进行控制的周边电路，所述阵列具备包括多个存储串的第1块和第2块，所述存储串包括能保持数据的n个存储单元；所述n条第1信号布线（CG）配置于所述第1块；所述m条第2信号布线（CG）配置于所述第2块，其中，n为自然数，m为自然数，n＞m。

主权项

一种非易失性半导体存储装置，其特征在于，具备：存储单元阵列，其包括层叠于半导体基板的多个存储单元，具备第1块和第2块，所述第1块包括多个存储串，所述存储串包括n个存储单元，其中，n为自然数，所述第2块能保持的数据量与所述第1块不同且包括多个所述存储串，和周边电路，其对所述存储单元阵列进行控制；在所述第1块配置有所述n条第1信号布线，所述n条第1信号布线连接于与所述第1块内的存储单元连接的、沿第1方向延伸的第1字线组，且沿与所述第1方向不同的第2方向延伸；在所述第2块配置有m条第2信号布线，该m条第2信号布线连接于与所述第2块内的存储单元连接的、沿所述第1方向延伸的第2字线组，且沿所述第2方向延伸，其中，m为自然数，n＞m。