[发明专利]一种具有微浮结构的半导体器件在审
| 申请号： | 201410073082.2 | 申请日： | 2014-02-28 |
| 公开（公告）号： | CN103824888A | 公开（公告）日： | 2014-05-28 |
| 发明（设计）人： | 张冬利;陶雪慧;王明湘;王槐生 | 申请（专利权）人： | 苏州大学 |
| 主分类号： | H01L29/788 | 分类号： | H01L29/788;H01L29/10 |
| 代理公司： | 南京纵横知识产权代理有限公司 32224 | 代理人： | 董建林;汪庆朋 |
| 地址： | 215000 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种具有微浮结构的半导体器件，在器件栅电极的栅绝缘层中增加悬浮、孤立的微悬浮体，改变器件结构，热载流子经过遂穿效应透过沟道和微悬浮体之间的栅绝缘层并存储在微悬浮体内，使微悬浮体成为带电体，能够减弱器件漏极的电场强度，进一步减少热载流子的产生，可以提高半导体器件的稳定性，延长使用寿命，具有良好的应用前景。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 具有 结构 半导体器件 | ||
【主权项】：
一种具有微浮结构的半导体器件，包括绝缘衬底、半导体沟道区、栅电极、源区和漏区，所述半导体沟道区设置在源区和漏区之间，所述栅电极和半导体沟道区之间为栅绝缘层，其特征在于：所述栅绝缘层中设有一个或一个以上孤立的微悬浮体。
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