[发明专利]一种具有微浮结构的半导体器件在审
| 申请号： | 201410073082.2 | 申请日： | 2014-02-28 |
| 公开（公告）号： | CN103824888A | 公开（公告）日： | 2014-05-28 |
| 发明（设计）人： | 张冬利;陶雪慧;王明湘;王槐生 | 申请（专利权）人： | 苏州大学 |
| 主分类号： | H01L29/788 | 分类号： | H01L29/788;H01L29/10 |
| 代理公司： | 南京纵横知识产权代理有限公司 32224 | 代理人： | 董建林;汪庆朋 |
| 地址： | 215000 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 具有 结构 半导体器件 | ||
1.一种具有微浮结构的半导体器件，包括绝缘衬底、半导体沟道区、栅电极、源区和漏区，所述半导体沟道区设置在源区和漏区之间，所述栅电极和半导体沟道区之间为栅绝缘层，其特征在于：所述栅绝缘层中设有一个或一个以上孤立的微悬浮体。
2.根据权利要求1所述的一种具有微浮结构的半导体器件，其特征在于，所述栅电极为顶栅电极，所述顶栅电极和半导体沟道区之间为顶栅绝缘层，所述顶栅绝缘层中设有一个或一个以上孤立的微悬浮体，所述半导体沟道区设置于绝缘衬底上。
3.根据权利要求1所述的一种具有微浮结构的半导体器件，其特征在于，所述栅电极为底栅电极，所述底栅电极和半导体沟道区之间为底栅绝缘层，所述底栅绝缘层中设有一个或一个以上孤立的微悬浮体，所述底栅电极设置于绝缘衬底上。
4.根据权利要求1所述的一种具有微浮结构的半导体器件，其特征在于，所述栅电极为双栅电极，包括顶栅电极和底栅电极，所述顶栅电极和半导体沟道区之间为顶栅绝缘层，所述底栅电极和半导体沟道区之间为底栅绝缘层，所述顶栅绝缘层和底栅绝缘层任一栅绝缘层中设有一个或一个以上孤立的微悬浮体，所述底栅电极设置于绝缘衬底上。
5.根据权利要求1所述的一种具有微浮结构的半导体器件，其特征在于：所述半导体沟道区是单晶、非晶、多晶材料或者单晶、非晶、多晶材料组成的多层结构。
6.根据权利要求1所述的一种具有微浮结构的半导体器件，其特征在于：所述半导体沟道区为硅、锗、硅锗复合材料或者硅、锗、硅锗复合材料组成的多层结构。
7.根据权利要求1所述的一种具有微浮结构的半导体器件，其特征在于：所述半导体沟道区为ZnO、IGZO、IZO材料或ZnO、IGZO、IZO材料组成的多层结构。
8.根据权利要求1所述的一种具有微浮结构的半导体器件，其特征在于：所述栅绝缘层为二氧化硅、氮化硅、氧化铝、二氧化铪、高介电常数的绝缘体或其组合。
9.根据权利要求1所述的一种具有微浮结构的半导体器件，其特征在于：所述微悬浮体为半导体、金属、金属硅化物或半导体、金属、金属硅化物组成的多层结构。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于苏州大学，未经苏州大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201410073082.2/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种业务数据传送方法及终端
- 下一篇：助残式内燃机车
- 同类专利
- 专利分类
