[发明专利]气相刻蚀装置有效
申请号: | 201410066813.0 | 申请日: | 2014-02-26 |
公开(公告)号: | CN104867845B | 公开(公告)日: | 2019-05-17 |
发明(设计)人: | 肖东风;贾照伟;王坚;王晖 | 申请(专利权)人: | 盛美半导体设备(上海)有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人: | 施浩 |
地址: | 201203 上海市浦东新*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明揭示了一种气相刻蚀装置,包括:工艺腔、氢氟酸储存罐、汽化器、质量流量控制器、真空泵及自动压力控制器。工艺腔用于气相刻蚀反应。氢氟酸储存罐储存液态的氢氟酸。汽化器使液态的氢氟酸汽化转变成氟化氢气体与水蒸汽的混合气体。质量流量控制器控制输送至工艺腔的气体的流量。真空泵对工艺腔抽真空。自动压力控制器控制工艺腔内的气压,使工艺腔内的气压保持在一设定值,在该设定值,供应至工艺腔内的气体及刻蚀反应的生成物均以气态的形式存在于工艺腔中。本发明将液态的氢氟酸作为反应物原料,能够降低工艺成本,且更安全,此外,供应至工艺腔内的气体及刻蚀反应的生成物均以气态的形式存在于工艺腔中,避免发生粘连。 | ||
搜索关键词: | 刻蚀 装置 | ||
【主权项】:
1.一种气相刻蚀装置,其特征在于,包括:工艺腔,所述工艺腔用于气相刻蚀反应;氢氟酸储存罐,所述氢氟酸储存罐储存液态的氢氟酸;汽化器,所述汽化器具有输入端和输出端,汽化器的输入端与氢氟酸储存罐连接,汽化器使液态的氢氟酸汽化转变成氟化氢气体与水蒸汽的混合气体;质量流量控制器,所述质量流量控制器具有输入端和输出端,质量流量控制器的输入端与汽化器的输出端连接,汽化器的输出端与质量流量控制器的输入端之间设置有第二电磁阀,质量流量控制器的输出端与工艺腔连接,质量流量控制器控制输送至工艺腔的气体的流量;真空泵,所述真空泵对工艺腔抽真空;及自动压力控制器,所述自动压力控制器控制工艺腔内的气压,使工艺腔内的气压保持在一设定值,在该设定值,供应至工艺腔内的气体及气相刻蚀反应的生成物均以气态的形式存在于工艺腔中;其中所述汽化器的输出端分成两支路,第一支路上设置有所述的第二电磁阀,第二支路上设置有脱水装置和第四电磁阀,脱水装置的输入端与汽化器的输出端连接,脱水装置的输出端与质量流量控制器的输入端连接,第四电磁阀位于脱水装置的输入端与汽化器的输出端之间,脱水装置从氟化氢气体与水蒸汽的混合气体中分离出氟化氢气体。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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