[发明专利]气相刻蚀装置有效
申请号: | 201410066813.0 | 申请日: | 2014-02-26 |
公开(公告)号: | CN104867845B | 公开(公告)日: | 2019-05-17 |
发明(设计)人: | 肖东风;贾照伟;王坚;王晖 | 申请(专利权)人: | 盛美半导体设备(上海)有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人: | 施浩 |
地址: | 201203 上海市浦东新*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 刻蚀 装置 | ||
1.一种气相刻蚀装置,其特征在于,包括:
工艺腔,所述工艺腔用于气相刻蚀反应;
氢氟酸储存罐,所述氢氟酸储存罐储存液态的氢氟酸;
汽化器,所述汽化器具有输入端和输出端,汽化器的输入端与氢氟酸储存罐连接,汽化器使液态的氢氟酸汽化转变成氟化氢气体与水蒸汽的混合气体;
质量流量控制器,所述质量流量控制器具有输入端和输出端,质量流量控制器的输入端与汽化器的输出端连接,汽化器的输出端与质量流量控制器的输入端之间设置有第二电磁阀,质量流量控制器的输出端与工艺腔连接,质量流量控制器控制输送至工艺腔的气体的流量;
真空泵,所述真空泵对工艺腔抽真空;及
自动压力控制器,所述自动压力控制器控制工艺腔内的气压,使工艺腔内的气压保持在一设定值,在该设定值,供应至工艺腔内的气体及气相刻蚀反应的生成物均以气态的形式存在于工艺腔中;
其中所述汽化器的输出端分成两支路,第一支路上设置有所述的第二电磁阀,第二支路上设置有脱水装置和第四电磁阀,脱水装置的输入端与汽化器的输出端连接,脱水装置的输出端与质量流量控制器的输入端连接,第四电磁阀位于脱水装置的输入端与汽化器的输出端之间,脱水装置从氟化氢气体与水蒸汽的混合气体中分离出氟化氢气体。
2.根据权利要求1所述的气相刻蚀装置,其特征在于,所述氢氟酸储存罐与汽化器的输入端之间设置有第一电磁阀,质量流量控制器的输出端与工艺腔之间设置有第三电磁阀。
3.根据权利要求1所述的气相刻蚀装置,其特征在于,在气相刻蚀的初始阶段打开第二电磁阀,通过第一支路向工艺腔供应氟化氢气体和水蒸汽的混合气体,刻蚀反应进行一时间段后,关闭第二电磁阀,打开第四电磁阀,通过第二支路向工艺腔供应氟化氢气体。
4.根据权利要求1所述的气相刻蚀装置,其特征在于,所述脱水装置为冷却器。
5.根据权利要求4所述的气相刻蚀装置,其特征在于,所述冷却器与一冷凝液储存罐连接,冷却器与冷凝液储存罐之间设置有第五电磁阀。
6.根据权利要求4所述的气相刻蚀装置,其特征在于,所述冷却器的数量为一个或一个以上。
7.根据权利要求1所述的气相刻蚀装置,其特征在于,所述自动压力控制器控制工艺腔内的气压低于50torr。
8.根据权利要求1所述的气相刻蚀装置,其特征在于,所述工艺腔与一氮气管路连接,所述氮气管路上设置有第六电磁阀。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造