[发明专利]一种MEMS微结构平面位移测量方法在审
| 申请号： | 201410065015.6 | 申请日： | 2014-02-25 |
| 公开（公告）号： | CN103776381A | 公开（公告）日： | 2014-05-07 |
| 发明（设计）人： | 罗元;张毅;计超;胡章芳;郝宏刚 | 申请（专利权）人： | 重庆邮电大学 |
| 主分类号： | G01B11/02 | 分类号： | G01B11/02;G06F19/00;G01C25/00 |
| 代理公司： | 重庆华科专利事务所 50123 | 代理人： | 康海燕 |
| 地址： | 400065 *** | 国省代码： | 重庆;85 |
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| 摘要： | 本发明请求保护混合分形插值和奇异值分解的MEMS微结构平面位移测量方法，涉及图像相位相关技术和MEMS动态测量领域。本发明通过改进传统相位相关法，提出了一种混合分形插值和奇异值分解的MEMS微结构平面位移测量方法，克服了传统方法计算量大，测量分辨率不足的缺陷，实现MEMS微机构平面运动位移的快速高精度测量。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 mems 微结构 平面 位移 测量方法 | ||
【主权项】：
混合分形插值和奇异值分解的MEMS微结构平面位移测量方法，其特征在于，包括步骤：获取MEMS微结构运动图像中零相位时刻的图像A和任一相位时的图像B；计算图像A和图像B发生位移变化时图像的归一化互功率谱，获得相位相关矩阵Q；对相位相关矩阵进行奇异值分解，获得水平和垂直方向的奇异向量，并进行秩为一的矩阵估计；屏蔽相位相关矩阵中幅值小于阈值的数据，屏蔽距离中心直流分量半径为O以外区域的相位相关矩阵中的数据；利用分形插值对屏蔽数据后的相位相关矩阵的系数进行插值；获得奇异向量，利用最小二乘法对奇异向量的线性相位系数进行拟合，得到拟合直线的斜率；根据拟合直线的斜率确定图像A和图像B之间的位移。
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