[发明专利]一种MEMS微结构平面位移测量方法在审
申请号: | 201410065015.6 | 申请日: | 2014-02-25 |
公开(公告)号: | CN103776381A | 公开(公告)日: | 2014-05-07 |
发明(设计)人: | 罗元;张毅;计超;胡章芳;郝宏刚 | 申请(专利权)人: | 重庆邮电大学 |
主分类号: | G01B11/02 | 分类号: | G01B11/02;G06F19/00;G01C25/00 |
代理公司: | 重庆华科专利事务所 50123 | 代理人: | 康海燕 |
地址: | 400065 *** | 国省代码: | 重庆;85 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 mems 微结构 平面 位移 测量方法 | ||
1.混合分形插值和奇异值分解的MEMS微结构平面位移测量方法,其特征在于,包括步骤:获取MEMS微结构运动图像中零相位时刻的图像A和任一相位时的图像B;计算图像A和图像B发生位移变化时图像的归一化互功率谱,获得相位相关矩阵Q;对相位相关矩阵进行奇异值分解,获得水平和垂直方向的奇异向量,并进行秩为一的矩阵估计;屏蔽相位相关矩阵中幅值小于阈值的数据,屏蔽距离中心直流分量半径为O以外区域的相位相关矩阵中的数据;利用分形插值对屏蔽数据后的相位相关矩阵的系数进行插值;获得奇异向量,利用最小二乘法对奇异向量的线性相位系数进行拟合,得到拟合直线的斜率;根据拟合直线的斜率确定图像A和图像B之间的位移。
2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,图像A和图像B之间满足关系式:其中,(a,b)为图像A和B之间相对位移的横坐标和纵坐标,和分别表示图像A和B在变换域的分布。
3.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述计算归一化互功率谱,获得相位相关矩阵具体包括:根据公式:
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于重庆邮电大学,未经重庆邮电大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201410065015.6/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。