[发明专利]具有降低的1/F噪声的双极晶体管及其操作方法

摘要

本发明案涉及一种具有降低的1/f噪声的双极晶体管及其操作方法。在双极晶体管中，在基极表面区上方于射极与集极之间形成优选地小于的薄栅极氧化物。接着在所述栅极氧化物上方形成例如掺杂多晶硅等导电栅极并将其偏置于射极电压下。在PNP晶体管的实例中，当相对于基极正向偏置所述射极以接通所述晶体管时，所述栅极相对于所述基极处于正电位。此致使所述基极中传导射极-集极电流的空穴被排斥而远离表面且所述基极中的电子被吸引到所述表面，使得所述射极-集极电流中的较多电流较深地流动到所述基极中。因此，减轻了所述基极表面处的缺陷的效应，且减少了1/f噪声。本发明同等适用于PNP及NPN晶体管。还产生其它益处。

主权项

一种双极晶体管，其包括：第一导电类型的射极；所述第一导电类型的集极；第二导电类型的基极，其在所述射极与所述集极之间，所述基极具有表面部分，所述射极、基极及集极形成双极晶体管；栅极电介质，其形成于所述基极的所述表面部分的至少一部分上方在所述射极与集极之间；及导电栅极，其形成于所述栅极电介质上方，所述栅极耦合到电压电位，所述栅极电介质及电压电位使得当通过相对于所述基极正向偏置所述射极而接通所述晶体管时，由所述栅极产生的所得电场迫使所述基极中的较多少数电流在所述基极的所述表面部分下方较深处于所述射极与集极之间传导。