[发明专利]具有降低的1/F噪声的双极晶体管及其操作方法

权利要求书

1.一种双极晶体管，其包括：

第一导电类型的射极；

所述第一导电类型的集极；

第二导电类型的基极，其在所述射极与所述集极之间，所述基极具有表面部分，所述射极、基极及集极形成双极晶体管；

栅极电介质，其形成于所述基极的所述表面部分的至少一部分上方在所述射极与集极之间；及

导电栅极，其形成于所述栅极电介质上方，所述栅极耦合到电压电位，所述栅极电介质及电压电位使得当通过相对于所述基极正向偏置所述射极而接通所述晶体管时，由所述栅极产生的所得电场迫使所述基极中的较多少数电流在所述基极的所述表面部分下方较深处于所述射极与集极之间传导。

2.根据权利要求1所述的晶体管，其中所述晶体管为横向晶体管。

3.根据权利要求1所述的晶体管，其中所述栅极电介质的厚度小于1000埃。

4.根据权利要求1所述的晶体管，其中所述栅极电介质的厚度小于600埃。

5.根据权利要求1所述的晶体管，其中所述栅极电介质的厚度小于300埃。

6.根据权利要求1所述的晶体管，其中所述栅极电介质是热生长的。

7.根据权利要求1所述的晶体管，其中所述栅极耦合到所述射极以便具有与所述射极相同的电位。

8.根据权利要求1所述的晶体管，其中所述晶体管为PNP型，且所述栅极连接到比所述基极更正的电压。

9.根据权利要求1所述的晶体管，其中所述晶体管为NPN型，且所述栅极连接到比所述基极更负的电压。

10.根据权利要求1所述的晶体管，其中由所述栅极产生的所述所得电场减少所述晶体管中的1/f噪声。

11.根据权利要求1所述的晶体管，其中由所述栅极产生的所述所得电场降低所述晶体管的1/f噪声转角。

12.根据权利要求1所述的晶体管，其中所述基极是外延生长的。

13.一种操作双极晶体管的方法，所述晶体管包括：第一导电类型的射极、所述第一导电类型的集极及在所述射极与所述集极之间的第二导电类型的基极，所述基极具有在所述射极与所述集极之间的表面部分，所述方法包括：

通过相对于所述基极正向偏置所述射极而接通所述晶体管；及

向通过栅极电介质与所述表面部分绝缘的导电栅极施加电压，使得所述基极中的少数载流子由在所述基极与所述栅极之间形成的电场从所述表面部分排斥以迫使所述基极中的较多少数电流在所述基极的所述表面部分下方较深处于所述射极与集极之间传导。

14.根据权利要求13所述的方法，其中所述栅极电介质不完全在所述射极及集极上方延伸。

15.根据权利要求13所述的方法，其中所述晶体管为横向晶体管。

16.根据权利要求13所述的方法，其中所述栅极电介质的厚度小于1000埃。

17.根据权利要求13所述的方法，其中所述栅极电介质的厚度小于600埃。

18.根据权利要求13所述的方法，其进一步包括热生长所述栅极电介质。

19.根据权利要求13所述的方法，其中所述向所述栅极施加所述电压的步骤包括将所述栅极耦合到所述射极以便使其具有与所述射极相同的电位。

20.根据权利要求13所述的方法，其中所述晶体管为PNP型，且所述栅极连接到比所述基极更正的电压。

21.根据权利要求13所述的方法，其中所述晶体管为NPN型，且所述栅极连接到比所述基极更负的电压。

22.根据权利要求13所述的方法，其中由所述栅极产生的所述所得电场减少所述晶体管中的1/f噪声。

23.根据权利要求13所述的方法，其中由所述栅极产生的所述所得电场降低所述晶体管的1/f噪声转角。