[发明专利]用于功率MOSFET应用的端接沟槽有效
| 申请号： | 201410057850.5 | 申请日： | 2014-02-20 |
| 公开（公告）号： | CN104009083B | 公开（公告）日： | 2018-04-27 |
| 发明（设计）人： | 李亦衡;马督儿·博德;高立德;哈姆扎·依玛兹;王晓彬;潘继;常虹;金钟五 | 申请（专利权）人： | 万国半导体股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海信好专利代理事务所(普通合伙)31249 | 代理人： | 张静洁,张妍 |
| 地址： | 美国加利福尼亚，*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明的各个方面提出了一种功率MOSFET器件的端接结构。端接沟槽形成在半导体材料中，包围着MOSFET的有源区。端接沟槽还包含导电材料的第一和第二部分。导电材料的第一和第二部分相互电绝缘。要强调的是，本摘要必须使研究人员或其他读者快速掌握技术说明书的主旨内容，本摘要符合以上要求。应明确，本摘要将不用于解释或局限权利要求书的范围或意图。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 功率 mosfet 应用 端接 沟槽 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，其特征在于，包含：一个有源器件区，其包含若干有源器件；一个端接沟槽，其包围有源器件区，所述端接沟槽包含：第一导电区，其包围有源器件区；一个绝缘区，其包围第一导电区；和一个第二导电区，其包围第一导电区和绝缘区；以及一个端接屏蔽电极，形成在导电材料的第一和第二部分之间，其中端接屏蔽电极与导电材料的第一和第二部分电绝缘，其中端接屏蔽电极维持在源极电势；所述有源器件区和端接沟槽形成在一第一导电类型的半导体材料中；所述第一导电区电性连接一栅极金属，以及第二导电区连接一漏极金属。
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