[发明专利]等离子增强化学气相沉积装置有效
申请号: | 201410057811.5 | 申请日: | 2014-02-20 |
公开(公告)号: | CN103789750A | 公开(公告)日: | 2014-05-14 |
发明(设计)人: | 郑建毅;杨群峰;庄明凤;郑高峰;马少宇 | 申请(专利权)人: | 厦门大学 |
主分类号: | C23C16/513 | 分类号: | C23C16/513 |
代理公司: | 厦门南强之路专利事务所(普通合伙) 35200 | 代理人: | 马应森 |
地址: | 361005 *** | 国省代码: | 福建;35 |
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摘要: | 等离子增强化学气相沉积装置,涉及化学气相沉积装置。设有沉积薄膜的PECVD装置和为沉积薄膜提供超高频振动能量的超高频激振装置;所述沉积薄膜的PECVD装置设有气体输送控制装置、射频电源、上盖、喷射支持部、气体分配板、夹具、收集板、加热器、控制阀、机械泵、分子泵、排气管路、测温传感器、密封圈、激振梁、反应室、测压传感器、进气管路、压力控制器和温度控制器;所述气体输送控制装置设有气体存储室、安装开关、流量阀、气体混合室、开关、流量阀和气体输出管路;超高频激振装置安装于激振梁的端部,输出杆与连接环焊接在一起,连接环与激振梁螺栓连接。实现薄膜应力在线消除和低应力薄膜的快速沉积制造。 | ||
搜索关键词: | 等离子 增强 化学 沉积 装置 | ||
【主权项】:
等离子增强化学气相沉积装置,其特征在于设有沉积薄膜的PECVD装置和为沉积薄膜提供超高频振动能量的超高频激振装置;所述沉积薄膜的PECVD装置设有气体输送控制装置、射频电源、上盖、喷射支持部、气体分配板、夹具、收集板、加热器、控制阀、机械泵、分子泵、排气管路、测温传感器、密封圈、激振梁、反应室、测压传感器、进气管路、压力控制器和温度控制器;所述气体输送控制装置设有气体存储室、安装开关、流量阀、气体混合室、开关、流量阀和气体输出管路;所述气体输送控制装置安装于上盖外部,气体输送控制装置气体输出管路与PECVD装置的进气管路相连接,射频电源置于上盖外部,射频电源的射频端部连接于喷射支持部,气体分配板、喷射支持部置于上盖内部,进气管路与喷射支持部的进气孔连接,气体分配板与喷射支持部通过螺栓连接,收集板、激振梁置于上盖内部,收集板置于激振梁上表面,由夹具夹持力使收集板紧贴于激振梁表面,夹具通过螺栓与激振梁连接,进气管路与上盖、排气管路与加热器和上盖、激振梁与上盖分别用橡胶密封圈连接,激振梁接地,测温传感器贴附于加热器表面,测温传感器数据输出端连接于温度控制器,温度控制器的控制数据输出端与加热器连接,加热器安装于上盖下部,测压传感器贴附于上盖的内壁,测压传感器的数据输出端连接于压力控制器,压力控制器数据输出端连接于机械泵、分子泵,压力控制器、温度控制器安装于上盖外部,机械泵、分子泵安装于上盖外部并与气体输出管路连接,气体输送控制装置各气体存储室和气体混合室之间安装开关和流量阀,在气体混合室和输出管路之间安装开关和流量阀,输出管路和进气管路连接;超高频激振装置安装于激振梁的端部,输出杆与连接环焊接在一起,连接环与激振梁螺栓连接。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
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