[发明专利]铁电薄膜形成用组合物的制造方法及其用途有效
| 申请号： | 201410054008.6 | 申请日： | 2014-02-18 |
| 公开（公告）号： | CN104072131B | 公开（公告）日： | 2018-11-02 |
| 发明（设计）人： | 土井利浩;樱井英章;曽山信幸 | 申请（专利权）人： | 三菱综合材料株式会社 |
| 主分类号： | C04B35/491 | 分类号： | C04B35/491;C04B35/622 |
| 代理公司： | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人： | 康泉;宋志强 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种铁电薄膜形成用组合物的制造方法及其用途。该用于形成铁电薄膜的组合物的制造方法为PZT薄膜形成用组合物的制造方法，其特征在于，在0℃～10℃温度下对PZT薄膜形成用组合物前驱体进行至少30天的时效处理，所述PZT薄膜形成用组合物前驱体通过使相对于100质量%的组合物前驱体用原料以氧化物浓度换算包含23～38质量%的PZT前驱物质的组合物前驱体用原料与高分子反应而获得。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜 形成 组合 制造 方法 及其 用途 | ||
【主权项】：
1.一种PZT薄膜形成用组合物的制造方法，其特征在于，具有：通过将含有Pb源、Zr源及Ti源的PZT前驱物质在丙二醇或乙二醇中进行回流而脱溶之后，加入乙醇、1‑丁醇或1‑辛醇来制备组合物前驱体用原料的工序；使所述组合物前驱体用原料与选自具有吡咯烷酮基的高分子、具有羟基的高分子或具有乙酰基的高分子进行反应而制备PZT薄膜形成用组合物前驱体的工序；及在0℃～10℃温度下对所述制备的PZT薄膜形成用组合物前驱体进行至少30天的时效处理的工序，相对于100质量％的所述组合物前驱体用原料以氧化物浓度换算包含23～38质量％的比例的所述PZT前驱物质，相对于100质量％的所述组合物前驱体用原料以16～30质量％的比例含有所述丙二醇或乙二醇，相对于1摩尔的所述PZT前驱物质以0.01～0.50摩尔的比例含有所述高分子。
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