[发明专利]铁电薄膜形成用组合物的制造方法及其用途

权利要求书

1.一种PZT薄膜形成用组合物的制造方法，其特征在于，具有：

通过将含有Pb源、Zr源及Ti源的PZT前驱物质在丙二醇或乙二醇中进行回流而脱溶之后，加入乙醇、1-丁醇或1-辛醇来制备组合物前驱体用原料的工序；

使所述组合物前驱体用原料与选自具有吡咯烷酮基的高分子、具有羟基的高分子或具有乙酰基的高分子进行反应而制备PZT薄膜形成用组合物前驱体的工序；及

在0℃～10℃温度下对所述制备的PZT薄膜形成用组合物前驱体进行至少30天的时效处理的工序，

相对于100质量％的所述组合物前驱体用原料以氧化物浓度换算包含23～38质量％的比例的所述PZT前驱物质，

相对于100质量％的所述组合物前驱体用原料以16～30质量％的比例含有所述丙二醇或乙二醇，

相对于1摩尔的所述PZT前驱物质以0.01～0.50摩尔的比例含有所述高分子。

2.一种PZT薄膜的制造方法，其特征在于，

将通过权利要求1所述的PZT薄膜形成用组合物的制造方法获得的PZT薄膜形成用组合物用作原料。

3.一种由电容器、集成无源器件、晶体管的栅极绝缘体、非易失性存储器、热释电型红外线检测元件、压电元件、电光元件、执行器、谐振器、超声波马达、表面弹性波元件、变频器或LC噪声滤波器元件中的任一种构成的复合电子部件的制造方法，其特征在于，包含权利要求2所述的制造方法。

4.一种由薄膜电容器、DRAM存储器用电容器、层叠电容器中的任一种构成的复合电子部件的制造方法，其特征在于，包含权利要求2所述的制造方法。