[发明专利]阵列基板、阵列基板的制备方法、显示装置在审

专利信息
申请号: 201410052964.0 申请日: 2014-02-17
公开(公告)号: CN103811502A 公开(公告)日: 2014-05-21
发明(设计)人: 姜晓辉;郭建;张家祥;田宗民 申请(专利权)人: 北京京东方光电科技有限公司;京东方科技集团股份有限公司
主分类号: H01L27/12 分类号: H01L27/12;H01L29/786;H01L21/77
代理公司: 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 代理人: 彭瑞欣;陈源
地址: 100176 北*** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明公开了一种阵列基板、阵列基板的制备方法、显示装置,阵列基板包括设置在基底上的栅电极、栅极绝缘层、有源层、源电极和漏电极以及像素电极,有源层具有导电区域、被源电极和漏电极覆盖的覆盖区域和包围于所述覆盖区域外侧的暴露区域,像素电极搭接在漏电极、有源层的暴露区域以及栅极绝缘层的上表面上。可知,由于有源层的暴露区域的存在,沉积像素电极层薄膜时,在漏电极的坡度角较大的区域,像素电极层薄膜可以落在有源层的暴露区域上,避免了由于重力下滑导致的在漏电极的坡度角较大的区域出现像素电极断裂的情况,有效促进了像素电极和漏电极的搭接。
搜索关键词: 阵列 制备 方法 显示装置
【主权项】:
一种阵列基板,包括设置在基底上的栅电极、栅极绝缘层、有源层、源电极和漏电极以及像素电极;其特征在于,所述有源层具有导电区域、被所述源电极和漏电极覆盖的覆盖区域和包围于所述覆盖区域外侧的暴露区域;像素电极搭接在所述漏电极、所述有源层的暴露区域以及所述栅极绝缘层的上表面上。
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