[发明专利]在多晶硅上形成金属硅化物的方法和半导体器件

摘要

本发明提供了一种在多晶硅上形成金属硅化物的方法和一种金属氧化物半导体器件，其中，在多晶硅上形成金属硅化物的方法包括在硅半导体外延层上生长栅氧化层，并在栅氧化层上沉积多晶硅层；在多晶硅层上形成作为栅极的多晶硅线条；在多晶硅层上沉积第一氧化层；刻蚀第一氧化层，在多晶硅线条的侧壁上形成侧墙；在多晶硅线条上制作需覆盖金属硅化物的多晶硅裸露区域；沉积金属层，对金属层进行热处理，在多晶硅裸露区域上生成金属硅化物；去除未生成金属硅化物的金属。本发明通过在多晶硅层上沉积第一氧化层，刻蚀第一氧化层以在多晶硅的侧壁形成侧墙，使得即使光刻对偏，也不会在多晶硅两边有源区上形成金属硅化物，避免短路或漏电引起器件失效。

主权项

一种在多晶硅上形成金属硅化物的方法，其特征在于，包括：在硅半导体衬底上生长了硅半导体外延层之后，在所述硅半导体外延层上生长栅氧化层，并在所述栅氧化层上沉积多晶硅层；在所述多晶硅层上形成作为栅极的多晶硅线条；在所述多晶硅层上沉积第一氧化层；刻蚀所述第一氧化层，在所述多晶硅线条的侧壁上形成侧墙；在所述多晶硅线条上制作需覆盖金属硅化物的多晶硅裸露区域，具体包括：在形成所述侧墙的多晶硅层上沉积第二氧化层；采用光刻及刻蚀在所述第二氧化层上制作第二氧化层窗口，露出所述多晶硅线条的表层，形成所述多晶硅裸露区域；沉积金属层，对所述金属层进行热处理，在所述多晶硅裸露区域上生成所述金属硅化物；去除未生成所述金属硅化物的金属。