[发明专利]在多晶硅上形成金属硅化物的方法和半导体器件有效
| 申请号： | 201410049252.3 | 申请日： | 2014-02-12 |
| 公开（公告）号： | CN104835728B | 公开（公告）日： | 2017-12-12 |
| 发明（设计）人： | 闻正锋;马万里;赵文魁;黄杰 | 申请（专利权）人： | 北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L21/285 |
| 代理公司： | 北京友联知识产权代理事务所(普通合伙)11343 | 代理人： | 尚志峰,汪海屏 |
| 地址： | 100871 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 多晶 形成 金属硅 方法 半导体器件 | ||
1.一种在多晶硅上形成金属硅化物的方法，其特征在于，包括：
在硅半导体衬底上生长了硅半导体外延层之后，在所述硅半导体外延层上生长栅氧化层，并在所述栅氧化层上沉积多晶硅层；
在所述多晶硅层上形成作为栅极的多晶硅线条；
在所述多晶硅层上沉积第一氧化层；
刻蚀所述第一氧化层，在所述多晶硅线条的侧壁上形成侧墙；
在所述多晶硅线条上制作需覆盖金属硅化物的多晶硅裸露区域，具体包括：
在形成所述侧墙的多晶硅层上沉积第二氧化层；
采用光刻及刻蚀在所述第二氧化层上制作第二氧化层窗口，露出所述多晶硅线条的表层，形成所述多晶硅裸露区域；
沉积金属层，对所述金属层进行热处理，在所述多晶硅裸露区域上生成所述金属硅化物；
去除未生成所述金属硅化物的金属。
2.根据权利要求1所述的在多晶硅上形成金属硅化物的方法，其特征在于，采用干法刻蚀所述第一氧化层，所述第一氧化层的厚度为800埃～2000埃。
3.根据权利要求1所述的在多晶硅上形成金属硅化物的方法，其特征在于，采用化学液清洗生成所述二氧化硅窗口后保留的光阻层。
4.根据权利要求3所述的在多晶硅上形成金属硅化物的方法，其特征在于，所述化学液为硫酸与双氧水的混合溶液。
5.根据权利要求1所述的在多晶硅上形成金属硅化物的方法，其特征在于，所述第二氧化层的厚度为500埃～1000埃。
6.根据权利要求1所述的在多晶硅上形成金属硅化物的方法，其特征在于，所述对所述金属层进行热处理的温度为650摄氏度～750摄氏度，时间为20秒～40秒。
7.根据权利要求1所述的在多晶硅上形成金属硅化物的方法，其特征在于，所述去除未生成所述金属硅化物的金属之后，还包括：
对所述金属硅化物进行热处理，热处理温度为800摄氏度～900摄氏度，时间为20秒～40秒。
8.根据权利要求1至7中任一项所述的在多晶硅上形成金属硅化物的方法，其特征在于，所述金属层为钛。
9.一种金属氧化物半导体器件，其特征在于，所述金属氧化物半导体器件采用如权利要求1至8中任一项所述的在多晶硅上形成金属硅化物的方法制作而成。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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