[发明专利]一种半导体器件的制备方法

摘要

本发明提供一种半导体器件的制备方法，所述制备方法至少包括步骤：在半导体衬底的有源区表面依次沉积垫氧化层和垫氮化层，刻蚀形成用于隔离相邻有源区的沟槽；采用刻蚀工艺将靠近所述沟槽的部分垫氮化层和垫氧化层刻蚀掉预设的厚度，露出部分有源区表面；填充绝缘材料至所述沟槽中形成浅沟道隔离结构；去除所述浅沟道隔离结构两侧的垫氮化层和垫氧化层暴露出所述浅沟道隔离结构两侧的有源区表面，在暴露的所述有源区表面生长栅氧；在所述栅氧表面沉积形成浮栅。本发明的制备方法中在进行绝缘材料填充之前对垫氮化层和垫氧化层的侧壁进行了一定厚度的刻蚀，使后续填充在沟槽中的绝缘材料可以覆盖于有源区的表面，保证有源区的拐角处有足够厚的绝缘材料覆盖，避免尖角效应发生。

主权项

一种半导体器件的制备方法，其特征在于，所述半导体器件的制备方法至少包括步骤：1）在半导体衬底的有源区表面依次沉积垫氧化层和垫氮化层，刻蚀所述垫氧化层、垫氮化层和有源区，在所述半导体衬底中形成用于隔离相邻有源区的沟槽；2）采用刻蚀工艺将靠近所述沟槽的部分垫氮化层和垫氧化层刻蚀掉预设的厚度，露出部分有源区表面；3）填充绝缘材料至所述沟槽中形成浅沟道隔离结构，所述浅沟道隔离结构的表面与所述垫氮化层的表面齐平；4）去除所述浅沟道隔离结构两侧的垫氮化层和垫氧化层暴露出所述浅沟道隔离结构两侧的有源区表面，在暴露的所述有源区表面生长栅氧；5）在所述栅氧和浅沟道隔离区结构表面沉积形成浮栅。