[发明专利]一种半导体器件的制备方法

权利要求书

1.一种半导体器件的制备方法，其特征在于，所述半导体器件的制备方法至少包括步骤：

1）在半导体衬底的有源区表面依次沉积垫氧化层和垫氮化层，刻蚀所述垫氧化层、垫氮化层和有源区，在所述半导体衬底中形成用于隔离相邻有源区的沟槽；

2）采用刻蚀工艺将靠近所述沟槽的部分垫氮化层和垫氧化层刻蚀掉预设的厚度，露出部分有源区表面；

3）填充绝缘材料至所述沟槽中形成浅沟道隔离结构，所述浅沟道隔离结构的表面与所述垫氮化层的表面齐平；

4）去除所述浅沟道隔离结构两侧的垫氮化层和垫氧化层暴露出所述浅沟道隔离结构两侧的有源区表面，在暴露的所述有源区表面生长栅氧；

5）在所述栅氧和浅沟道隔离区结构表面沉积形成浮栅。

2.根据权利要求1所述的半导体器件的制备方法，其特征在于：所述步骤2）采用湿法刻蚀工艺刻蚀所述垫氮化层和垫氧化层的侧壁，所述预设的厚度范围为50～300埃。

3.根据权利要求1所述的半导体器件的制备方法，其特征在于：所述垫氮化层为SiN；所述垫氧化层为SiO₂。

4.根据权利要求1所述的半导体器件的制备方法，其特征在于：所述步骤1）和步骤2）之间还包括采用热氧化工艺在所述沟槽表面制备衬氧化层的步骤。

5.根据权利要求1所述的半导体器件的制备方法，其特征在于：所述步骤3）中形成浅沟道隔离结构的具体过程为：采用高密度等离子体沉积工艺沉积绝缘材料于沟槽中，直至所述绝缘材料覆盖在垫氮化层上；再利用化学机械抛光工艺抛除所述垫氮化层上的绝缘材料，使所述绝缘材料的表面与垫氮化层的表面齐平，从而形成浅沟道隔离结构。

6.根据权利要求5所述的半导体器件的制备方法，其特征在于：所述绝缘材料为SiO₂。

7.根据权利要求1所述的半导体器件的制备方法，其特征在于：所述步骤4）中采用湿法刻蚀方式去除所述垫氮化层和垫氧化层。

8.根据权利要求1所述的半导体器件的制备方法，其特征在于：在所述步骤4）中去除所述垫氮化层和垫氧化层后、形成栅氧之前还包括步骤：先在所述有源区表面生长牺牲氧化层，然后采用离子注入工艺在有所有源区中形成阱区；最后去除所述牺牲氧化层并清洗所述半导体器件。

9.根据权利要求1所述的半导体器件的制备方法，其特征在于：采用热氧化工艺生长栅氧，所述栅氧的厚度范围为50～300埃。

10.根据权利要求1所述的半导体器件的制备方法，其特征在于：所述浮栅为多晶硅栅极或金属栅极。