[发明专利]半导体结构的形成方法有效
| 申请号： | 201410045283.1 | 申请日： | 2014-01-30 |
| 公开（公告）号： | CN104817055B | 公开（公告）日： | 2017-06-13 |
| 发明（设计）人： | 李新;戚德奎 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | B81C1/00 | 分类号： | B81C1/00 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种半导体结构的形成方法，包括提供衬底；在衬底上形成腔体层；在所述腔体层中形成空腔；在空腔内填充牺牲层；在空腔上方形成通孔结构，所述通孔结构具有露出牺牲层的通孔；去除所述牺牲层。在形成半导体结构的过程中，在空腔上方形成通孔结构之前，先在空腔内填充牺牲层，使得在空腔上方形成通孔结构的步骤中，形成通孔结构所产生的聚合物等副产物不会落入空腔内部，在形成通孔结构以后，去除所述牺牲层，这样形成的半导体结构中，空腔内部洁净度高；并且由于在形成通孔结构的过程中，空腔内部充满牺牲层，降低了形成通孔结构过程中的应力使空腔破裂的风险。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：提供衬底；在所述衬底上形成腔体层；在所述腔体层中形成空腔；在空腔内填充牺牲层；在牺牲层上方形成通孔结构，所述通孔结构具有露出牺牲层的通孔；去除所述牺牲层；在空腔内填充牺牲层的步骤包括：在所述腔体层表面旋涂溶解有聚碳酸亚丙酯材料的苯甲醚溶液，使所述苯甲醚溶液填充至空腔内部；使苯甲醚溶液蒸发，在空腔内部以及腔体层表面形成聚碳酸亚丙酯材料层；去除腔体层上表面的聚碳酸亚丙酯材料层，保留位于空腔内部的聚碳酸亚丙酯材料层，位于空腔内部的聚碳酸亚丙酯材料层为所述牺牲层。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司，未经中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201410045283.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
