[发明专利]功率半导体器件及制造方法和截止环在审
| 申请号： | 201410043011.8 | 申请日： | 2014-01-29 |
| 公开（公告）号： | CN104810385A | 公开（公告）日： | 2015-07-29 |
| 发明（设计）人： | 李理;马万里;赵圣哲 | 申请（专利权）人： | 北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L21/02;H01L21/265 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人： | 刘芳 |
| 地址： | 100871 北京市海*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种功率半导体器件及制造方法和截止环，通过在功率半导体器件的位于有源区外围的截止环上，刻蚀获得至少一个沟槽，并设置通过向沟槽注入离子所形成的包围沟槽的注入区，以及设置覆盖沟槽表面和有源区表面的二氧化硅介质层，由于采用了在截止环上刻蚀获得沟槽之后注入离子，增加了离子注入深度和截止环的密度，因而，缩小了截止环的宽度，解决了截止环占用了较大的芯片面积的技术问题，提高了芯片面积利用率，进而降低了芯片的制造成本。 | ||
| 搜索关键词： | 功率 半导体器件 制造 方法 截止 | ||
【主权项】：
一种功率半导体器件，包括有源区和位于所述有源区外围的截止环，以及位于所述有源区和所述截止环之间的分压区，其特征在于，所述截止环包括：至少一个沟槽；覆盖所述沟槽表面和所述有源区表面的二氧化硅介质层；包围所述沟槽的注入区；其中，所述注入区是向所述沟槽注入离子形成的。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司，未经北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201410043011.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：包括在漂移区中波动分布的净掺杂的半导体器件
- 下一篇：影像传感器
- 同类专利
- 专利分类
