[发明专利]半导体装置与其制造方法

摘要

一种半导体装置包含基板、异质结构体、保护层、源极、漏极与栅极。异质结构体置于基板上，异质结构体包含第一半导体层、遮罩层、成长层与第二半导体层。第一半导体层置于基板上。遮罩层置于部分的第一半导体层上。成长层置于第一半导体层上，且毗邻遮罩层设置。成长层包含主体部与至少一倾斜部。第二半导体层置于遮罩层与成长层上。保护层置于第二半导体层上，且至少置于遮罩层与成长层的倾斜部的上方。源极与漏极分别与异质结构体电性耦合。栅极置于保护层上，置于源极与漏极之间，并至少置于成长层的倾斜部上方。

主权项

一种半导体装置，包含：一基板；一异质结构体，置于该基板上，该异质结构体包含：一第一半导体层，置于该基板上；一遮罩层，置于部分的该第一半导体层上；一以磊晶方式形成的成长层，置于该第一半导体层上，且毗邻该遮罩层设置，该成长层包含一主体部与至少一倾斜部，该主体部与该倾斜部皆具有一上表面，其中该遮罩层具有面向该第一半导体层的一下表面，该主体部的该上表面与该遮罩层的该下表面非共平面，且该倾斜部的该上表面自该主体部的该上表面，沿着一夹角倾斜至该遮罩层的该下表面；以及一第二半导体层，置于该遮罩层与该成长层上；一保护层，置于该第二半导体层上，且至少置于该遮罩层与该成长层的该倾斜部的上方；一源极与一漏极，分别与该异质结构体电性耦合；以及一栅极，置于该保护层上，置于该源极与该漏极之间，并至少置于该成长层的该倾斜部上方。