[发明专利]一种碳化硅刻蚀方法在审
| 申请号： | 201410037621.7 | 申请日： | 2014-01-26 |
| 公开（公告）号： | CN104810273A | 公开（公告）日： | 2015-07-29 |
| 发明（设计）人： | 杨霏;田亮 | 申请（专利权）人： | 国家电网公司;国网智能电网研究院 |
| 主分类号： | H01L21/3065 | 分类号： | H01L21/3065 |
| 代理公司： | 北京安博达知识产权代理有限公司 11271 | 代理人： | 徐国文 |
| 地址： | 100031 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体功率器件制备工艺技术领域，具体涉及一种使碳化硅材料形成不同侧壁形貌的刻蚀方法。该方法包括下述步骤：步骤一：在碳化硅样品上采用气相化学沉积设备沉积刻蚀掩膜层；步骤二：在掩膜层上涂覆光刻胶，通过光刻工艺形成台面的图形转移；步骤三：使用光刻胶作为腐蚀阻挡层，采用氢氟酸缓冲液对二氧化硅进行湿法腐蚀，湿法腐蚀完成后去除光刻胶；步骤四：使用介质膜作为干法刻蚀阻挡层，采用干法刻蚀机对碳化硅样品进行干法刻蚀；步骤五：干法刻蚀完毕之后去除刻蚀掩膜层。本发明解决现有技术中对SiC材料进行ICP刻蚀所存在的缺点，使碳化硅材料形成不同侧壁形貌。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 碳化硅 刻蚀 方法 | ||
【主权项】：
一种碳化硅刻蚀方法，其特征在于，所述方法包括下述步骤：步骤一：在碳化硅样品上采用气相化学沉积设备沉积刻蚀掩膜层；步骤二：在掩膜层上涂覆光刻胶，通过光刻工艺形成台面的图形转移；步骤三：使用光刻胶作为腐蚀阻挡层，采用氢氟酸缓冲液对二氧化硅进行湿法腐蚀，湿法腐蚀完成后去除光刻胶；所述氢氟酸缓冲溶液中氢氟酸：氟化铵的比例为约1：1至约1：40；湿法腐蚀时间为约170秒至约3600秒；湿法腐蚀温度在为10°C至70°C之间；湿法腐蚀完毕后掩膜层侧壁角度控制在5°至85°之间；步骤四：使用介质膜作为干法刻蚀阻挡层，采用干法刻蚀机对碳化硅样品进行干法刻蚀；步骤五：干法刻蚀完毕之后去除刻蚀掩膜层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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