[发明专利]一种珠卡塞辛的晶体及其制备方法和用途在审
| 申请号： | 201410036233.7 | 申请日： | 2014-01-26 |
| 公开（公告）号： | CN104803872A | 公开（公告）日： | 2015-07-29 |
| 发明（设计）人： | 唐超;隋强;刘帅;欧阳群香;时惠麟 | 申请（专利权）人： | 上海医药工业研究院;中国医药工业研究总院 |
| 主分类号： | C07C233/20 | 分类号： | C07C233/20;C07C231/24 |
| 代理公司： | 上海弼兴律师事务所 31283 | 代理人： | 朱水平;徐颖 |
| 地址： | 200040 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种珠卡塞辛的晶体及其制备方法和用途，所述的晶体在使用辐射源为Cu-Kα的粉末X射线衍射光谱中，在衍射角2θ=5.9和11.9度处有特征峰，2θ误差范围为±0.2度。本发明的珠卡塞辛的晶体纯度可达99.5%以上，顺反异构体含量小于0.3%，稳定性好，易于过滤及洗涤，因而有助于改善生物利用度。本发明的珠卡塞辛晶体的制备方法简单，并且不同批次之间的产品性质稳定，且同一批珠卡塞辛晶体不同点取样，含量基本相同。经过两次结晶后顺反异构体含量可小于0.3%，比文献报道的两次结晶后顺反异构体含量7.1%，明显下降。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 珠卡塞辛 晶体 及其 制备 方法 用途 | ||
【主权项】：
一种珠卡塞辛的晶体，其特征在于：所述的晶体在使用辐射源为Cu‑Kα的粉末X射线衍射光谱中，在衍射角2θ=5.9和11.9度处有特征峰，2θ误差范围为±0.2度。
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