[发明专利]抗反射导电ITO膜连续镀膜生产线无效
申请号: | 201410033240.1 | 申请日: | 2014-01-24 |
公开(公告)号: | CN103741111A | 公开(公告)日: | 2014-04-23 |
发明(设计)人: | 万志 | 申请(专利权)人: | 赫得纳米科技(昆山)有限公司 |
主分类号: | C23C14/56 | 分类号: | C23C14/56 |
代理公司: | 南京纵横知识产权代理有限公司 32224 | 代理人: | 董建林 |
地址: | 215300 江苏省*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明公开了一种抗反射导电ITO膜连续镀膜生产线,包括真空腔室区,所述真空腔室区包括依次排列相连通的第一预初轴腔室、第一过渡腔室、第一介质膜镀膜腔室、第二介质膜镀膜腔室、第一隔离腔室、第二隔离腔室、第一导电膜镀膜腔室、第二导电膜镀膜腔室、第二过渡腔室、第二预初轴腔室;相邻腔室之间均设置有可开启或关闭的隔离门,第一预初轴腔室入片口处设置上片升降区,第二预初轴腔室出片口处设置下片升降区;真空腔室区内部设置贯穿连续的多个基片载具传送轴,基片载具传送轴一端穿过真空腔室壁与伺服传动马达相接驱动;基片载具传送轴上对称设置有两个基片载具传动轮,靠近真空腔室区内壁两侧对称设置有基片载具导向轮。 | ||
搜索关键词: | 反射 导电 ito 连续 镀膜 生产线 | ||
【主权项】:
一种抗反射导电ITO膜连续镀膜生产线,其特征在于:包括真空腔室区,所述真空腔室区包括依次排列相连通的第一预初轴腔室、第一过渡腔室、第一介质膜镀膜腔室、第二介质膜镀膜腔室、第一隔离腔室、第二隔离腔室、第一导电膜镀膜腔室、第二导电膜镀膜腔室、第二过渡腔室、第二预初轴腔室;所述第一预初轴腔室、第一过渡腔室、第一介质膜镀膜腔室、第二介质膜镀膜腔室、第一隔离腔室、第二隔离腔室、第一导电膜镀膜腔室、第二导电膜镀膜腔室、第二过渡腔室、第二预初轴腔室相邻腔室之间均设置有可开启或关闭的隔离门,所述第一预初轴腔室入片口处设置上片升降区,所述第二预初轴腔室出片口处设置下片升降区;真空腔室区内部设置贯穿连续的多个基片载具传送轴,所述基片载具传送轴一端穿过真空腔室壁与伺服传动马达相接驱动。
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