[发明专利]抗反射导电ITO膜连续镀膜生产线无效

专利信息
申请号: 201410033240.1 申请日: 2014-01-24
公开(公告)号: CN103741111A 公开(公告)日: 2014-04-23
发明(设计)人: 万志 申请(专利权)人: 赫得纳米科技(昆山)有限公司
主分类号: C23C14/56 分类号: C23C14/56
代理公司: 南京纵横知识产权代理有限公司 32224 代理人: 董建林
地址: 215300 江苏省*** 国省代码: 江苏;32
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 反射 导电 ito 连续 镀膜 生产线
【权利要求书】:

1.一种抗反射导电ITO膜连续镀膜生产线,其特征在于:包括真空腔室区,所述真空腔室区包括依次排列相连通的第一预初轴腔室、第一过渡腔室、第一介质膜镀膜腔室、第二介质膜镀膜腔室、第一隔离腔室、第二隔离腔室、第一导电膜镀膜腔室、第二导电膜镀膜腔室、第二过渡腔室、第二预初轴腔室;所述第一预初轴腔室、第一过渡腔室、第一介质膜镀膜腔室、第二介质膜镀膜腔室、第一隔离腔室、第二隔离腔室、第一导电膜镀膜腔室、第二导电膜镀膜腔室、第二过渡腔室、第二预初轴腔室相邻腔室之间均设置有可开启或关闭的隔离门,所述第一预初轴腔室入片口处设置上片升降区,所述第二预初轴腔室出片口处设置下片升降区;真空腔室区内部设置贯穿连续的多个基片载具传送轴,所述基片载具传送轴一端穿过真空腔室壁与伺服传动马达相接驱动。

2.根据权利要求1所述的抗反射导电ITO膜连续镀膜生产线,其特征在于:所述基片载具传送轴上对称设置有两个基片载具传动轮, 靠近真空腔室区内壁两侧对称设置有基片载具导向轮。

3.根据权利要求1或2所述的抗反射导电ITO膜连续镀膜生产线,其特征在于:还包括多个机架;所述第一预初轴腔室、第一过渡腔室、第一介质膜镀膜腔室、第二介质膜镀膜腔室、第一隔离腔室、第二隔离腔室、第一导电膜镀膜腔室、第二导电膜镀膜腔室、第二过渡腔室、第二预初轴腔室底部均设置有机架来支撑固定;所述机架上设置有回转传动组。

4.根据权利要求3所述的抗反射导电ITO膜连续镀膜生产线,其特征在于:所述机架底部设置有地脚脖用以调整机架高度。

5.根据权利要求4所述的抗反射导电ITO膜连续镀膜生产线,其特征在于:所述机架底侧横向设置有一底杆,底杆底侧设置有便于移动的滑轮。

6.根据权利要求1所述的抗反射导电ITO膜连续镀膜生产线,其特征在于:所述真空腔室区与真空泵组通过抽真空阀组相连通。

7.根据权利要求1所述的抗反射导电ITO膜连续镀膜生产线,其特征在于:所述第一介质膜镀膜腔室、第二介质膜镀膜腔室设置有氩气充气口。

8.根据权利要求1所述的抗反射导电ITO膜连续镀膜生产线,其特征在于:所述第一介质膜镀膜腔室、第二介质膜镀膜腔室内设置有孪生磁控溅射靶;每对孪生靶配置四支制程进气管路。

9.根据权利要求1所述的抗反射导电ITO膜连续镀膜生产线,其特征在于:第一预初轴腔室和第二预初轴腔室分别连接抽气系统。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于赫得纳米科技(昆山)有限公司,未经赫得纳米科技(昆山)有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201410033240.1/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top