[发明专利]电子器件及其形成方法

摘要

本发明涉及电子器件及其形成方法。一种制造电子器件的方法包括如下步骤。在SOI晶片的SOI层中蚀刻至少一个第一组纳米线和衬垫以及至少一个第二组纳米线和衬垫。形成第一栅极叠层，其包围用作电容器器件的沟道区的所述第一组纳米线中每一条纳米线的至少一部分。形成第二栅极叠层，其包围用作FET器件的沟道区的所述第二组纳米线中每一条纳米线的至少一部分。选择性地掺杂所述FET器件的源极区和漏极区。在所述电容器器件的所述源极区和漏极区上形成第一硅化物，该第一硅化物至少延伸到所述第一栅极叠层的边缘。在所述FET器件的所述源极区和漏极区上形成第二硅化物。

主权项

一种制造电子器件的方法，包括如下步骤：提供SOI晶片，所述SOI晶片具有在BOX上的SOI层；在所述SOI层中蚀刻至少一个第一组纳米线和第一组衬垫并且在所述SOI层中蚀刻至少一个第二组纳米线和第二组衬垫，其中所述第一组衬垫附着在梯子状配置的所述第一组纳米线的相对端，并且其中所述第二组衬垫附着在梯子状配置的所述第二组纳米线的相对端；形成第一栅极叠层，所述第一栅极叠层包围用作电容器器件的沟道区的所述第一组纳米线中每一条纳米线的至少一部分，其中所述第一组纳米线的从所述栅极叠层延伸出来的部分以及所述第一组衬垫用作所述电容器器件的源极区和漏极区；形成第二栅极叠层，所述第二栅极叠层包围用作场效应晶体管（FET）器件的沟道区的所述第二组纳米线中每一条纳米线的至少一部分，其中所述第二组纳米线的从所述栅极叠层延伸出来的部分以及所述第二组衬垫用作所述FET器件的源极区和漏极区；选择性地掺杂所述FET器件的所述源极区和漏极区；在所述电容器器件的所述源极区和漏极区上形成至少延伸到所述第一栅极叠层的边缘的第一硅化物；以及在所述FET器件的所述源极区和漏极区上形成第二硅化物。