[发明专利]半导体发光元件、半导体发光元件的制造方法

摘要

本发明提供具有良好的发光特性的使用了III族氮化物半导体的半导体发光元件、半导体发光元件的制造方法。半导体发光元件具有：层叠在基板上的n型半导体层；发光层，由势垒层以及包含In原子的阱层交替层叠了多个的多重量子阱构造构成；和p型半导体层，发光层具有：3层以上的阱层；和4层以上的势垒层，从两侧夹入3层以上的阱层的各自，并且在与n型半导体层的边界部与n型半导体层连接且在与p型半导体层的边界部与p型半导体层连接，3层以上的阱层包含以从接近所述n型半导体层的一侧按顺序设置的多个n侧阱层、和接近p型半导体层一侧的一个p侧阱层，在发光层产生由向p型半导体层侧开口的凹部的斜面构成的V字状凹部，至少1层以上的n侧阱层的该斜面的In原子的浓度为在该n侧阱层内存在的In原子的浓度的50％以下。

主权项

一种半导体发光元件，其特征在于，具有：层叠在基板上的n型半导体层；由多重量子阱构造构成的发光层，所述多重量子阱构造中势垒层和含有In原子的阱层交替层叠有多个；和p型半导体层，所述发光层具有：3层以上的所述阱层；和4层以上的所述势垒层，将3层以上的该阱层的各自从两侧夹入，并且在与所述n型半导体层的边界部与该n型半导体层连接、且在与所述p型半导体层的边界部与该p型半导体层连接，3层以上的所述阱层包括从接近所述n型半导体层的一侧按顺序设置的多个n侧阱层、和接近所述p型半导体层一侧的一个p侧阱层，在所述发光层，产生由在所述p型半导体层侧开口的凹部的斜面构成的V字状凹部，至少1层以上的所述n侧阱层的该斜面的In原子的浓度为存在于该n侧阱层内的In原子的浓度的50％以下。