[发明专利]半导体结构与其制作方法

摘要

本发明提供一半导体结构，包含有一基底，上方具有一介电层，且定义有一第一元件区以及一第二元件区，至少一第一凹槽位于该第一元件区内的该介电层中，至少一第二凹槽以及至少一第三凹槽位于该第二元件区内的该介电层中，一功函数层，位于该第二凹槽以及该第三凹槽内，其中该功函数金属层覆盖部分该第二凹槽的侧壁，而完整覆盖该第三凹槽的侧壁与一底部，以及多个第一材料层，分别位于该第二凹槽以及该第三凹槽内，其中该第一材料层覆盖部分该第二凹槽侧壁上的该功函数层，而完整覆盖位于该第三凹槽侧壁与该底部的该功函数层。

主权项

1.一种半导体结构的制作方法，至少包含有以下步骤：提供一基底，该基底上覆盖有一介电层，且该基底上定义有一第一元件区以及一第二元件区；形成至少一第一凹槽位于该第一元件区内的该介电层中，至少一第二凹槽以及至少一第三凹槽位于该第二元件区内的该介电层中；形成一第一功函数层，覆盖于该第一凹槽、该第二凹槽与该第三凹槽内；形成多个一第一材料层于该第一凹槽、该第二凹槽与该第三凹槽内，其中该第一材料层覆盖部分该第一凹槽以及该第二凹槽侧壁上的该第一功函数层，而完整覆盖该第三凹槽内的该第一功函数金属层；在该一第一材料层形成后，形成一第二材料层，填满该第一凹槽与该第二凹槽，其中该第一材料层与该第二材料层具有不同的蚀刻选择比；去除该第一凹槽内的该第一材料层以及该第二材料层；去除该第二凹槽内的该第二材料层；以及完全去除该第一凹槽内的该第一功函数层，并去除该第二凹槽内的部分该第一功函数层。