[发明专利]具有可加热和可冷却抽吸构件的结合头有效
申请号: | 201410027342.2 | 申请日: | 2014-01-21 |
公开(公告)号: | CN103943520B | 公开(公告)日: | 2017-11-17 |
发明(设计)人: | 安德鲁斯·迈尔 | 申请(专利权)人: | 贝思瑞士股份公司 |
主分类号: | H01L21/603 | 分类号: | H01L21/603;H01L21/67 |
代理公司: | 中原信达知识产权代理有限责任公司11219 | 代理人: | 沈同全,车文 |
地址: | 瑞士*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 一种用于将半导体芯片安装在基片上的结合头(1),该结合头包括结合头本体(2)和形成为单件的抽吸构件(3)。抽吸构件的加热、冷却和温度监控所需的元件全都被集成到抽吸构件(3)中,使得加热元件和冷却元件都不由于防止传热的表面而与半导体芯片(11)隔离开。结合头本体(2)仅包含向抽吸构件(3)供应电力和冷却介质所需的元件。 | ||
搜索关键词: | 具有 热和 冷却 抽吸 构件 结合 | ||
【主权项】:
一种结合头(1),包括:结合头本体(2),以及扁平的抽吸构件(3),所述抽吸构件(3)由单件烧结陶瓷材料构成,并具有彼此相对的底侧(4)和上侧(5),其中,在所述抽吸构件(3)中:所述底侧(4)形成有至少一个第一凹部(9),一个或更多个冷却通道(12)被设置在所述上侧(5)的下方,所述冷却通道包括入口(13)和出口(14),电阻加热器(20)被布置在所述冷却通道(12)的下方或上方,并且集成有温度传感器(21),其中,所述电阻加热器(20)被连接到第一接触区域(23),并且所述温度传感器(21)被连接到第二接触区域(24);其中,所述结合头本体(2)的底侧(6)或所述抽吸构件(3)的上侧(5)包括一个或更多个第二凹部(7),并且其中,所述结合头本体(2)包括一个或更多个第一通道(8),所述一个或更多个第一通道(8)通向所述一个或更多个第二凹部(7),并且能够被供应真空用于抽吸所述抽吸构件(3);其中,所述结合头本体(2)和所述抽吸构件(3)包括至少一个第二通道(10),所述至少一个第二通道(10)通向所述抽吸构件(3)的底侧(4)中的所述至少一个第一凹部(9)并且能够被供应真空用于抽吸半导体芯片(11);其中,所述结合头本体(2)包括一个或更多个第三通道(18)以及一个或更多个第四通道(19),所述一个或更多个第三通道(18)与所述冷却通道(12)的入口(13)连通,且所述一个或更多个第四通道(19)与所述冷却通道(12)的出口(14)连通;并且其中,接触元件(25)被附接到所述结合头本体(2),当所述抽吸构件(3)被抽吸时,所述接触元件(25)与所述第一接触区域(23)或所述第二接触区域(24)接触,使得所述抽吸构件(3)能够被所述电阻加热器(20)加热,能够通过所述第三通道(18)供应冷却介质并且通过所述第四通道(19)排出冷却介质而被冷却,并且使得由所述温度传感器(21)测量到的温度能够被传递到控制单元。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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