[发明专利]半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201410024925.X | 申请日： | 2014-01-20 |
| 公开（公告）号： | CN104795330B | 公开（公告）日： | 2018-09-04 |
| 发明（设计）人： | 钟汇才;罗军;朱慧珑 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/78;H01L29/08;H01L29/06 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 倪斌 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 提供了一种半导体器件及其制造方法。一示例方法可以包括：在SOI衬底上形成沿第一方向延伸的多条鳍线，其中SOI衬底包括支撑衬底、埋入绝缘层和SOI层，且在形成鳍线之后留有一定厚度的SOI层在埋入绝缘层上各鳍线之间延伸；在衬底上形成沿与第一方向交叉的第二方向延伸的多个栅极线，每一栅极线经由栅介质层与相应的鳍线相交；在栅极线的侧壁上形成电介质侧墙；在SOI层以及鳍线未被栅极线和侧墙覆盖的表面上外延生长半导体层；以及在预定区域处，形成器件间绝缘隔离部，其中至少一条栅极线被相应的绝缘隔离部分为两个或更多部分，且至少一条鳍线被相应的绝缘隔离部分为两个或更多部分。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种制造半导体器件的方法，包括：在SOI衬底上形成沿第一方向延伸的多条鳍线，其中SOI衬底包括支撑衬底、埋入绝缘层和SOI层，且在形成鳍线之后留有一定厚度的SOI层在埋入绝缘层上各鳍线之间延伸，从而各鳍线通过留下的SOI层而彼此在物理上连接在一起，且鳍线的顶面高于留下的SOI层的顶面；在衬底上形成沿与第一方向交叉的第二方向延伸的多个栅极线，每一栅极线经由栅介质层与相应的鳍线相交；在栅极线的侧壁上形成电介质侧墙；在SOI层以及鳍线未被栅极线和侧墙覆盖的表面上外延生长半导体层；以及在预定区域处，形成器件间绝缘隔离部，其中至少一条栅极线被相应的绝缘隔离部分为两个或更多部分，且至少一条鳍线被相应的绝缘隔离部分为两个或更多部分。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
