[发明专利]用于在体半导体晶片上形成FINFET/三栅极器件的方法无效
| 申请号： | 201410012908.4 | 申请日： | 2014-01-09 |
| 公开（公告）号： | CN103972098A | 公开（公告）日： | 2014-08-06 |
| 发明（设计）人： | 柳青;王俊利 | 申请（专利权）人： | 意法半导体公司;国际商业机器公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 王茂华 |
| 地址： | 美国得*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明描述一种用于制作FINFET器件的方法，该FINFET器件具有将鳍与衬底绝缘的绝缘层。绝缘层可以防止原本会流过衬底中的体半导体材料的漏电流。可以从体半导体衬底开始制作该结构而无需绝缘体上半导体衬底。可以通过外延生长来形成鳍结构，这可以提高器件中的鳍高度的均匀性。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 半导体 晶片 形成 finfet 栅极 器件 方法 | ||
【主权项】：
一种用于制作finFET的方法，所述方法包括：在衬底上沉积包括牺牲性材料的第一层；在所述第一层之上沉积第一半导体材料的第二层；在所述第二层中形成用于一个或者多个finFET的多个鳍部；并且去除所述第一层的至少部分以在所述多个鳍部之下形成第一空隙。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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