[发明专利]一种NMOSFET器件及其制备方法有效
| 申请号： | 201410012365.6 | 申请日： | 2014-01-10 |
| 公开（公告）号： | CN104779286B | 公开（公告）日： | 2018-03-06 |
| 发明（设计）人： | 李勇;肖德元 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/08;H01L29/32;H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海申新律师事务所31272 | 代理人： | 俞涤炯 |
| 地址： | 201203 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种NMOSFET器件及其制备方法，通过在偏置侧墙制备工艺前，采用预非晶硅注入工艺在衬底中形成非晶硅区域，并继续轻掺杂工艺后，于应力记忆工艺中的热处理过程中，在非晶硅区域中形成层错，并通过在源/漏区上形成嵌入式U形应力结构，以进一步提高制备的NMOSFET器件的载流子迁移率，进而提高器件的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 nmosfet 器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种NMOSFET器件，其特征在于，所述器件包括衬底、栅极结构、应力结构、通孔刻蚀停止层、层间介质层和通孔结构；所述衬底上设置有沟道区和有源区，所述栅极结构覆盖位于所述沟道区和部分所述有源区的衬底的表面，所述应力结构覆盖位于剩余有源区的衬底的表面；所述通孔刻蚀停止层覆盖在所述应力结构的表面和所述栅极结构的侧壁上，所述层间介质层覆盖在所述通孔刻蚀停止层的表面上；所述通孔结构贯穿所述层间介质层和所述通孔刻蚀停止层与所述应力结构的上表面接触；其中，于所述有源区的衬底中临近所述栅极结构的位置处形成有层错；所述应力结构为嵌入式U形张应力结构。
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