[发明专利]具有改进的暗电流性能的图像传感器

摘要

本发明涉及具有改进的暗电流性能的图像传感器。本发明提供了一种半导体图像传感器件。该图像传感器包括：具有第一侧和与第一侧相对的第二侧的半导体衬底。半导体衬底包括被配置为感测从第二侧投射向衬底的辐射的辐射感测区域。第一层设置在半导体衬底的第二侧上方。第一层具有第一能带隙。第二层设置在第一层上方。第二层具有第二能带隙。第三层设置在第二层上方。第三层具有第三能带隙。第二能带隙小于第一能带隙和第三能带隙。

主权项

一种半导体图像传感器件，包括：半导体衬底，具有第一侧和与所述第一侧相对的第二侧，其中，所述半导体衬底包括被配置为感测从所述第二侧投射向所述衬底的辐射的辐射感测区域；第一层，设置在所述半导体衬底的第二侧上方，所述第一层具有第一能带隙；第二层，设置在所述第一层上方，所述第二层具有第二能带隙；以及第三层，设置在所述第二层上方，所述第三层具有第三能带隙；其中，所述第二能带隙小于所述第一能带隙和所述第三能带隙。