[发明专利]半导体衬底、半导体器件及半导体衬底制造方法在审
| 申请号： | 201410006568.4 | 申请日： | 2014-01-07 |
| 公开（公告）号： | CN103681992A | 公开（公告）日： | 2014-03-26 |
| 发明（设计）人： | 程凯 | 申请（专利权）人： | 苏州晶湛半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/20 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 常亮 |
| 地址： | 215124 江苏省苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体衬底、半导体器件及半导体衬底制造方法，所述半导体衬底包括第一半导体层以及位于所述第一半导体层上的第二半导体层，所述第一半导体层和第二半导体层以及各自按其晶格对称性旋转后在垂直方向上均具有不同的解离面。本发明的半导体衬底具有特殊的晶格结构和力学结构，将半导体衬底设为复合型衬底结构，同样衬底厚度的条件下，可以减少半导体外延层施加的应力对半导体衬底产生的损害，从而减半导体衬底破碎的几率；同时可以减小工艺难度，增强半导体器件的可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 衬底 半导体器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体衬底，其特征在于，所述半导体衬底包括第一半导体层以及位于所述第一半导体层上的第二半导体层，所述第一半导体层和第二半导体层、所述第一半导体层按其晶格对称性旋转后与所述第二半导体层、所述第一半导体层与所述第二半导体层按其晶格对称性旋转后、以及所述第一半导体层按其晶格对称性旋转后与所述第二半导体层按其晶格对称性旋转后在垂直方向上均具有不同的解离面。
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