[发明专利]一种DMOS产品碗口处多晶硅残留的处理方法在审
| 申请号： | 201410003410.1 | 申请日： | 2014-01-03 |
| 公开（公告）号： | CN104766782A | 公开（公告）日： | 2015-07-08 |
| 发明（设计）人： | 陈定平;朱爱兵 | 申请（专利权）人： | 北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人： | 许静;黄灿 |
| 地址： | 100871 北京市海淀*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供一种DMOS产品碗口处多晶硅残留的处理方法，涉及半导体制造技术领域，为解决现有技术中DMOS产品碗口处多晶硅残留清除不彻底的问题而发明；所述处理方法包括如下步骤：使用各向同性的干刻机台对DMOS产品碗口处多晶硅残留进行刻蚀。本发明提供的方案刻蚀速率快，可彻底清除DMOS产品碗口处多晶硅残留，且刻蚀后的条宽损失和条宽均匀性满足产品的工艺要求。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 dmos 产品 碗口 多晶 残留 处理 方法 | ||
【主权项】：
一种DMOS产品碗口处多晶硅残留的处理方法，其特征在于，包括如下步骤：使用各向同性的干刻机台对DMOS产品碗口处多晶硅残留进行刻蚀。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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