[发明专利]一种亚微米光栅的制作方法在审
| 申请号： | 201410003127.9 | 申请日： | 2014-01-03 |
| 公开（公告）号： | CN104765247A | 公开（公告）日： | 2015-07-08 |
| 发明（设计）人： | 林文魁;王逸群;张宝顺 | 申请（专利权）人： | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 |
| 主分类号： | G03F7/00 | 分类号： | G03F7/00;G02B5/18 |
| 代理公司： | 深圳市科进知识产权代理事务所(普通合伙) 44316 | 代理人： | 宋鹰武;沈祖锋 |
| 地址： | 215123 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开一种亚微米光栅的制作方法，包括如下步骤，S1.涂光刻胶、坚膜；S2.利用掩膜版对线条的中心部分进行光学曝光；S3.采用电子束曝光，通过套刻标记将线条边缘细节套刻到所述线条的中心部分；S4.显影，及后处理工艺；S5.去胶，完成光栅制作；或者，S1.涂光刻胶、坚膜；S2.采用电子束曝光，对线条边缘细节进行曝光；S3.利用掩膜版对线条的中心部分进行光学曝光；S4.显影，及后处理工艺；S5.去胶，完成光栅制作。本发明通过一次涂胶、两次曝光、一次显影工艺制作光栅，制作工艺简化，节约时间及成本；同时，由于工艺步骤简化，避免多次工艺拼接造成的变形，保证了光栅线条的精度，提高器件或图形的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 微米 光栅 制作方法 | ||
【主权项】：
一种亚微米光栅的制作方法，其特征在于，包括如下步骤，S1、涂光刻胶、坚膜；S2、利用掩膜版对线条的中心部分进行光学曝光；S3、采用电子束曝光，通过套刻标记将线条边缘细节套刻到所述线条的中心部分；S4、显影，及后处理工艺；S5、去胶，完成光栅制作；或者，S1、涂光刻胶、坚膜；S2、采用电子束曝光，对线条边缘细节进行曝光；S3、利用掩膜版对线条的中心部分进行光学曝光；S4、显影，及后处理工艺；S5、去胶，完成光栅制作。
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