[发明专利]一种半导体长膜工艺中静电卡盘及晶片温度的辨识方法

摘要

一种半导体长膜工艺中静电卡盘及晶片温度的辨识方法，（1）滤波处理，（2）差分处理，确定差分数据最大值、最小值、正均值和负均值；（3）确定卡盘/晶片温度缓变段准确位置信息：（a）设定第一峰/谷门限值，比较第一峰/谷门限值和差分数据的大小，以确定M组卡盘/m组晶片温度缓变段初步位置；（b）设定第二峰/谷门限值，比较M组卡盘和m组晶片温度缓变段初步位置中对应差分数据与第二峰/谷门限值的大小，确定卡盘和晶片的温度缓变段准确位置；（4）对卡盘/晶片温度缓变段的准确位置中对应滤波数据求平均值，以得到静电卡盘及晶片温度值。该方法对静电卡盘和晶片温度高精度辨识，可在较为复杂的工作环境下，实现较好的辨识效果。

主权项

一种半导体长膜工艺中静电卡盘及晶片温度的辨识方法，其特征在于：包括以下步骤：（1）滤波处理，对静电卡盘和晶片的温度数据序列进行滤波处理，以消除高频噪声的影响，得到平滑的温度数据序列；（2）差分处理，对滤波后的温度数据序列做差分处理，并确定差分数据的最大值MaxDiff和最小值MinDiff，差分数据大于0部分的平均值即正均值PosMean和小于0部分的平均值即负均值NegMean；（3）确定静电卡盘温度和晶片温度分别对应的缓变段准确位置信息：（a）根据所述最大值MaxDiff、最小值MinDiff、正均值PosMean以及负均值NegMean设定第一峰门限值PeakGate和第一谷门限值TroughGate，分别比较第一峰门限值PeakGate、第一谷门限值TroughGate和差分数据的大小，以确定差分数据中M组静电卡盘的温度缓变段初步位置和m组晶片的温度缓变段初步位置；（b）根据正均值PosMean以及负均值NegMean设定第二峰门限值和第二谷门限值，且第二峰门限值小于第一峰门限值，第二谷门限值大于第一谷门限值，分别比较M组静电卡盘/m组晶片的温度缓变段初步位置中对应的差分数据与第二峰门限值和第二谷门限值的大小，确定所有的静电卡盘和晶片的温度缓变段准确位置；（4）分别计算静电卡盘温度值和晶片温度值：分别对所述所有的静电卡盘/晶片温度缓变段的准确位置中对应的滤波数据求取平均值，以得到静电卡盘及晶片的温度值。