[发明专利]氮化铝覆铜陶瓷基板的制备方法

摘要

本发明氮化铝覆铜陶瓷基板的制备方法，包括：第一步，对氮化铝陶瓷和铜片进行清洗；第二步，对氮化铝陶瓷进行预氧化处理，使陶瓷表面生成氧化铝层；第三步，对预氧化后的氮化铝陶瓷表面添加金属改性层，所述金属改性层为含铜氧化物，并进行烧结；第四步，铜片表面进行热氧化处理，使铜片表面生成氧化亚铜；第五步，将铜片放置在经过改性处理的氮化铝陶瓷表面进行第一面烧结，完成之后再进行第二面烧结。本发明氮化铝覆铜陶瓷基板的制备方法通过在预氧化的氮化铝与铜片之间添加一种含铜氧化物的金属改性层，可使氮化铝与铜片之间紧密结合，可有效解决AlN‑DBC表面气泡问题。

主权项

1.氮化铝覆铜陶瓷基板的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：第一步，对氮化铝陶瓷和铜片进行清洗；第二步，对氮化铝陶瓷进行预氧化处理，使陶瓷表面生成氧化铝层；第三步，对预氧化后的氮化铝陶瓷表面添加金属改性层，所述金属改性层为含铜氧化物，并进行烧结；第四步，铜片表面进行热氧化处理，使铜片表面生成氧化亚铜；第五步，将铜片放置在经过改性处理的氮化铝陶瓷表面进行第一面烧结，完成之后再进行第二面烧结；所述金属改性层为CuO或Cu2O或两者混合物；所述金属改性层为CuAlO2或CuAl2O4或两者混合物；所述金属改性层的厚度为1μm～50μm；所述第三步中，烧结是在1050℃～1200℃下进行，烧结时间为10min～120min，气氛为氮气保护的弱氧气氛，氧含量为100ppm～1000ppm；所述第一步中，对氮化铝陶瓷和铜片采用酸碱溶液、去离子水，通过超声清洗、喷淋、预脱水工艺进行清洗；所述第二步中，对氮化铝陶瓷进行预氧化处理，温度设定为1000℃～1300℃，氧化时间为0.5h～24h，气氛为氮气保护下的氧化气氛，氮氧含量比为4:1～10:1，氧化铝层厚度为1μm～100μm；所述第四步中，铜片表面进行热氧化处理，氧化温度设定为500℃～900℃，氧化时间为10min～60min，氧化气氛为氮气保护下的氧化气氛，氧含量为500ppm～3000ppm；所述第五步中，第一面烧结的温度设定为1060℃～1075℃，烧结时间为20min～35min，气氛为氮气保护的弱氧气氛，氧含量为5ppm～200ppm；第二面烧结的温度设定为1065℃～1080℃，烧结时间为20min～35min，气氛为氮气保护的弱氧气氛，氧含量为5ppm～200ppm。