[发明专利]溅射沉积源、溅射沉积的设备及其组装方法有效
| 申请号： | 201380080736.8 | 申请日： | 2013-11-05 |
| 公开（公告）号： | CN105706212B | 公开（公告）日： | 2018-11-20 |
| 发明（设计）人： | S·凯勒;U·舒斯勒;D·哈斯;S·邦格特 | 申请（专利权）人： | 应用材料公司 |
| 主分类号： | H01J37/32 | 分类号： | H01J37/32;H01J37/34 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 黄嵩泉 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 描述了一种用于在真空腔室中溅射沉积的溅射沉积源。该源包括：真空腔室的壁部分；目标，在溅射沉积期间提供待沉积的材料；RF电源，用于向目标提供RF功率；功率连接器，用于将目标与RF电源连接；以及导体棒，穿过壁部分从真空腔室内部延伸至真空腔室外部，其中导体棒被连接至真空腔室内部的一个或多个部件，并且其中导体棒被连接至真空腔室外部的RF电源以生成穿过导体棒的定义的RF返回路径。 | ||
| 搜索关键词： | 射频 rf 溅射 沉积 设备 及其 组装 方法 | ||
【主权项】：
1.一种用于在真空腔室中溅射沉积的溅射沉积源，包括：所述真空腔室的壁部分；目标，所述目标在所述溅射沉积期间提供待沉积的材料；RF电源，用于向所述目标提供RF功率；功率连接器，用于将所述目标与所述RF电源连接；以及导体棒，穿过所述壁部分从所述真空腔室内部延伸至所述真空腔室外部，其中所述导体棒被连接至所述真空腔室内部的一个或多个部件，并且其中所述导体棒被连接至所述真空腔室外部的所述RF电源，以生成穿过所述导体棒的定义的RF返回路径，其中所述一个或多个部件包括至少屏蔽盒，并且当所述屏蔽盒连接到所述导体棒时，在所述屏蔽盒与所述真空腔室的所述壁部分之间提供间隙。
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