[发明专利]硅低聚物及其制造方法在审

专利信息
申请号: 201380077750.2 申请日: 2013-06-28
公开(公告)号: CN105339372A 公开(公告)日: 2016-02-17
发明(设计)人: 佐土原大祐;西川贤一;根道靖丈;户田久之;安田弘树;都木新介;约翰·厄尼斯特·克里斯托弗·科多尼尔 申请(专利权)人: 株式会社杰希优
主分类号: C07F7/04 分类号: C07F7/04;C08G77/02;C09D183/00
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人: 蒋亭
地址: 日本国*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 发明的目的在于,提供具有以往的水与四烷氧基硅烷的缩合物所不具有的新型功能的硅低聚物,提供下述通式(I)所表示的硅低聚物及其制造方法,(其中,R1~R10分别独立地为碳原子数1~4的烷基或羟烷基,X1~X3分别独立地为下述通式(II)所表示的基团,n为0或1,n为0时m为1~3的整数,n为1时m为1)(其中,A为碳原子数2~4的分支或未分支的亚烷基,l为1~3的整数)。
搜索关键词: 硅低聚物 及其 制造 方法
【主权项】:
一种硅低聚物,其是由下述通式(I)所表示的硅低聚物,通式(I)中,R1~R10分别独立地为碳原子数1~4的烷基或羟烷基,X1~X3分别独立地为由下述通式(II)所表示的基团,n为0或1,n为0时m为1~3的整数,n为1时m为1,通式(II)中,A为碳原子数2~4的分支或未分支的亚烷基,1为1~3的整数。
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