“安田弘树”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网_中国专利网

首页在售求购查询申请展会资讯专利榜企服商城升级VIP

立即登录免费注册

在售专利
求购专利
查询专利
新闻资讯
技术展会
招商加盟
专利榜

本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247

本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247

专利名称

专利名称
专利号码
专利分类
申请人
公布日期

农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

专利下载VIP

公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

钻瓜专利网为您找到相关结果6个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]电镀铜浴-CN201880022413.6有效
发明人：池田健;岸本一喜;高谷康子;安田弘树;下村彩;原崎裕介;佐波正浩;清原靖;藤原伊织;田中正夫;阿部峰大 -专利权人：株式会社杰希优;互应化学工业株式会社
申请日： 2018-08-28 - 公布日： 2022-05-03 - 主分类号： C25D3/38 文献下载
摘要：本发明提供一种通孔的填充性优异的电镀铜浴。电镀铜浴含有分子内含有氨基的化合物与分子内含有环氧基的化合物在酸的存在下的反应生成物。上述分子内含有氨基的化合物包括由特定的通式表示的胺化合物。上述分子内含有环氧基的化合物包括由特定的通式表示的环氧化合物。
镀铜

[发明专利]硅低聚物及其制造方法-CN201910495663.8有效
发明人：佐土原大祐;西川贤一;根道靖丈;户田久之;安田弘树;都木新介;约翰·厄尼斯特·克里斯托弗·科多尼尔 -专利权人：株式会社杰希优
申请日： 2013-06-28 - 公布日： 2021-09-28 - 主分类号： C09D183/04 文献下载
摘要：本发明的目的在于，提供具有以往的水与四烷氧基硅烷的缩合物所不具有的新型功能的硅低聚物，提供下述通式(I)所表示的硅低聚物及其制造方法，(其中，R1～R10分别独立地为碳原子数1～4的烷基或羟烷基，X1～X3分别独立地为下述通式(II)所表示的基团，n为0或1，n为0时m为1～3的整数，n为1时m为1)(其中，A为碳原子数2～4的分支或未分支的亚烷基，1为1～3的整数)。
硅低聚物及其制造方法

[发明专利]硫酸铜镀液和使用了其的硫酸铜镀敷方法-CN201880017720.5在审
发明人：池田健;下村彩;岸本一喜;江田哲郞;高谷康子;谷本由美;小坂美纪子;安田弘树 -专利权人：株式会社杰希优
申请日： 2018-08-28 - 公布日： 2020-05-05 - 主分类号： C25D3/38 文献下载
摘要：一种硫酸铜镀液和使用该硫酸铜镀液的硫酸铜镀敷方法，所述硫酸铜镀液的特征在于，其为含有至少包含氮原子、氢原子、碳原子的化合物的硫酸铜镀液，上述化合物是去除全体或重复单元的氢原子后的分子式中，下述式(1)所示的总原子数中的氮原子数的比例(X)和相对分子量(Mw)满足下述式(2)或(3)的化合物。[数学式1]X＝(分子式中的氮原子数/分子式中的总原子数)×100…(1)；[数学式2]3≤X＜5且2000＜Mw…(2)；5≤X≤7且5000＜Mw…(3)。
硫酸铜使用方法

[发明专利]铜的高速填充方法-CN201480078098.0在审
发明人：大森隆史;安田弘树;安藤俊介 -专利权人：株式会社杰希优
申请日： 2014-04-25 - 公布日： 2017-04-19 - 主分类号： C25D7/12 文献下载
摘要：本发明提供一种改变以往的铜镀敷温度、浓度、电流密度等或其他条件，加快对基板上形成的孔或沟进行填充的速度的技术。本发明提供一种以铜镀敷高速填充基板上形成的孔或沟的方法，其特征在于，将形成有孔或沟的基板浸渍于含铜离子、硫酸离子及卤化物离子且为30～70℃的酸性铜镀敷液中，以电流密度3A/dm2以上，使用不溶性电极作为阳极进行镀敷。
高速填充方法

[发明专利]硅低聚物及其制造方法-CN201380077750.2在审
发明人：佐土原大祐;西川贤一;根道靖丈;户田久之;安田弘树;都木新介;约翰·厄尼斯特·克里斯托弗·科多尼尔 -专利权人：株式会社杰希优
申请日： 2013-06-28 - 公布日： 2016-02-17 - 主分类号： C07F7/04 文献下载
摘要：本发明的目的在于，提供具有以往的水与四烷氧基硅烷的缩合物所不具有的新型功能的硅低聚物，提供下述通式(I)所表示的硅低聚物及其制造方法，(其中，R₁～R₁₀分别独立地为碳原子数1～4的烷基或羟烷基，X₁～X₃分别独立地为下述通式(II)所表示的基团，n为0或1，n为0时m为1～3的整数，n为1时m为1)(其中，A为碳原子数2～4的分支或未分支的亚烷基，l为1～3的整数)。
硅低聚物及其制造方法

[发明专利]新型化合物及其利用-CN201080066482.0有效
发明人： 安田弘树;君塚亮一;高须辰治;佐藤琢朗;石塚博士;小合康裕;尾山祐斗;外冈优;小坂美纪子;下村彩;清水由美子 -专利权人：株式会社杰希优
申请日： 2010-04-30 - 公布日： 2013-01-30 - 主分类号： C07D295/08 文献下载
摘要：本发明的目的在于，提供可向半导体用硅基板、有机材料基板、陶瓷基板等基板填充高深宽比的通孔、穿孔等的镀铜技术。所述技术为叔胺化合物、其季铵化合物以及含有这些化合物的镀铜用添加剂、铜镀浴、镀铜方法，所述叔胺化合物是通过使杂环化合物与具有三个以上缩水甘油醚基的化合物中的缩水甘油醚基的环氧基反应而得的叔胺化合物。
新型化合物及其利用

1
共 6 条

友情链接：交换友情链接需要网站权重大于4，网站收录10W以上，如符合条件，请联系QQ：76009968。

关于我们寻求报道投稿须知广告合作版权声明网站地图友情链接企业标识联系我们

在线咨询

400-8765-105周一至周五 9:00-18:00

版权所有钻瓜科技（天津）有限公司津ICP备15000985号津公网安备 12019202000206号http://www.vipzhuanli.com/公布日期

咨询在线客服

咨询在线客服

tel code back_top