[发明专利]碳化硅粉末和碳化硅单晶的制造方法有效
| 申请号： | 201380076003.7 | 申请日： | 2013-11-27 |
| 公开（公告）号： | CN105246826A | 公开（公告）日： | 2016-01-13 |
| 发明（设计）人： | 增田贤太;一坪幸辉;铃木将和;野中洁;加藤智久;田中秀秋 | 申请（专利权）人： | 太平洋水泥株式会社;独立行政法人产业技术综合研究所 |
| 主分类号： | C01B31/36 | 分类号： | C01B31/36;C30B29/36 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 庞东成;褚瑶杨 |
| 地址： | 日本国*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 提供一种碳化硅粉末，其用作升华再结晶法的原料的情况下，升华速度快且未升华而残存的碳化硅的量少，因此能够提高碳化硅单晶的生产率，并且碳化硅单晶(例如单晶晶片)能够大型化。碳化硅粉末是勃氏比表面积为250～1,000cm2/g的碳化硅粉末，该碳化硅粉末的总量中，粒度超过0.70mm且为3.00mm以下的碳化硅粉末的比例为50体积％以上。通过将碳化硅粉末5收容至坩埚1内并加热使其升华，能够使碳化硅的单晶6形成于设置于上盖3的底面部分的籽晶4上。 | ||
| 搜索关键词： | 碳化硅 粉末 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种碳化硅粉末，其为勃氏比表面积为250cm2/g～1,000cm2/g的碳化硅粉末，其中，粒度超过0.70mm且为3.00mm以下的碳化硅粉末在该碳化硅粉末的总量中所占的比例为50体积％以上。
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