[发明专利]碳化硅粉末和碳化硅单晶的制造方法有效
| 申请号： | 201380076003.7 | 申请日： | 2013-11-27 |
| 公开（公告）号： | CN105246826A | 公开（公告）日： | 2016-01-13 |
| 发明（设计）人： | 增田贤太;一坪幸辉;铃木将和;野中洁;加藤智久;田中秀秋 | 申请（专利权）人： | 太平洋水泥株式会社;独立行政法人产业技术综合研究所 |
| 主分类号： | C01B31/36 | 分类号： | C01B31/36;C30B29/36 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 庞东成;褚瑶杨 |
| 地址： | 日本国*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 碳化硅 粉末 制造 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种碳化硅粉末，其为勃氏比表面积为250cm2/g～1,000cm2/g的碳化硅粉末，其中，粒度超过0.70mm且为3.00mm以下的碳化硅粉末在该碳化硅粉末的总量中所占的比例为50体积％以上。
2.如权利要求1所述的碳化硅粉末，其中，上述碳化硅粉末含有一次粒子凝集而成的粒子，所述一次粒子中，粒度为1μm以上、1mm以下的粒子的比例为90体积％以上。
3.如权利要求1或2所述的碳化硅粉末，其中，上述碳化硅粉末为含有α型碳化硅的粉末、含有β型碳化硅的粉末或含有α型碳化硅和β型碳化硅的混合物的粉末。
4.一种碳化硅单晶的制造方法，其中，使用权利要求1～3任一项所述的碳化硅粉末作为原料，利用升华再结晶法，使碳化硅单晶在碳化硅籽晶上生长。
5.如权利要求4所述的碳化硅单晶的制造方法，其中，通过以堆密度为0.7g/cm3～1.4g/cm3的方式将上述碳化硅粉末收容于坩埚内并对其加热，使碳化硅单晶在设置于坩埚上盖的底面部分的碳化硅籽晶上生长。
6.如权利要求4或5所述的碳化硅单晶的制造方法，其中，通过以热传导率为0.05W/m·K～0.15W/m·K的方式将上述碳化硅粉末收容于坩埚内并对其加热，使碳化硅单晶在设置于坩埚上盖的底面部分的碳化硅籽晶上生长。
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