[发明专利]用于化学机械研磨垫的调节的方法及设备在审
| 申请号： | 201380073189.0 | 申请日： | 2013-10-18 |
| 公开（公告）号： | CN105074881A | 公开（公告）日： | 2015-11-18 |
| 发明（设计）人： | R·巴贾杰;H·C·陈 | 申请（专利权）人： | 应用材料公司 |
| 主分类号： | H01L21/304 | 分类号： | H01L21/304 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 黄嵩泉 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本文提供了一种用于调节研磨垫的方法与设备。在一实施例中，提供了一种用于基板研磨处理的垫片调节装置。该垫片调节装置包括光学装置，该光学装置耦接至研磨站中邻近于研磨垫的一部分，该光学装置包括激光发射器，用以对研磨垫的研磨表面发出光束，该光束具有与研磨处理中所使用的研磨流体实质上不反应、但与研磨垫反应的波长范围。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 化学 机械 研磨 调节 方法 设备 | ||
【主权项】：
一种用于基板研磨处理的垫片调节装置，所述垫片调节装置包括：光学装置，耦接至邻近于研磨垫的研磨站的一部分，所述光学装置包括激光发射器以向所述研磨垫的研磨表面发出光束，所述光束具有与所述研磨处理中所使用的研磨流体实质上不反应、但与所述研磨垫反应的波长范围。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
