[发明专利]用于化学机械研磨垫的调节的方法及设备在审
申请号: | 201380073189.0 | 申请日: | 2013-10-18 |
公开(公告)号: | CN105074881A | 公开(公告)日: | 2015-11-18 |
发明(设计)人: | R·巴贾杰;H·C·陈 | 申请(专利权)人: | 应用材料公司 |
主分类号: | H01L21/304 | 分类号: | H01L21/304 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人: | 黄嵩泉 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 化学 机械 研磨 调节 方法 设备 | ||
1.一种用于基板研磨处理的垫片调节装置,所述垫片调节装置包括:
光学装置,耦接至邻近于研磨垫的研磨站的一部分,所述光学装置包括激光发射器以向所述研磨垫的研磨表面发出光束,所述光束具有与所述研磨处理中所使用的研磨流体实质上不反应、但与所述研磨垫反应的波长范围。
2.如权利要求1所述的装置,其中所述光学装置耦接至设置在所述研磨站周围的外壳。
3.如权利要求2所述的装置,其中所述光学装置包括反射元件,所述反射元件设置在所述激光发射器与所述研磨垫的所述研磨表面之间。
4.如权利要求3所述的装置,其中所述反射元件中其一耦接至致动器,以使所述反射元件相对于所述光束而移动。
5.如权利要求1所述的装置,其中所述光学装置耦接至设置在所述研磨站上的调节臂。
6.如权利要求5所述的装置,其中所述调节臂包括耦接至所述调节臂的调节头。
7.如权利要求6所述的装置,其中所述光学装置包括一或更多个反射元件,所述一或更多个反射元件设置在所述调节头和所述调节臂中的一或两者中。
8.如权利要求7所述的装置,其中所述一或更多个反射元件中其一耦接至设置在所述垫片调节装置中的致动器。
9.如权利要求6所述的装置,进一步包括:
侧缘,耦接至所述调节头。
10.如权利要求9所述的装置,其中所述侧缘所限定的内部空间耦接至真空来源与流体来源中其一或两者。
11.一种用于研磨基板的设备,所述设备包括:
基部,具有可旋转平台以及耦接至所述可旋转平台的上表面的研磨垫;及
调节装置,置位为邻近于所述可旋转平台,所述调节装置用以发射入射光束及相对于所述研磨垫的研磨表面移动所述入射光束,其中所述调节装置包括光学装置,所述光学装置包括激光发射器以发出光束,所述光束具有不被所述研磨垫上所使用的研磨流体吸收、但与所述研磨垫的材料反应的波长范围。
12.如权利要求11所述的设备,进一步包括:
外壳,所述外壳中至少部分容纳所述平台与所述研磨垫,其中所述调节装置耦接至所述外壳。
13.如权利要求12所述的设备,其中所述调节装置包括微机械装置,以于所述研磨垫的所述研磨表面上扫描所述入射光束。
14.如权利要求12所述的设备,其中所述光学装置包括一或更多个反射元件,所述一或更多个反射元件设置在所述激光发射器与所述研磨垫的所述研磨表面之间。
15.如权利要求11所述的设备,其中所述调节装置耦接至所述基部,并包括耦接至臂部的调节头。
16.如权利要求15所述的设备,其中所述调节头包括微机械装置,以于所述研磨垫的表面上扫描所述入射光束。
17.如权利要求15所述的设备,其中所述光学装置包括一或更多个反射元件,所述一或更多个反射元件设置在所述调节头与所述臂部的一或两者中。
18.一种用于调节研磨垫的方法,所述方法包括:
旋转研磨垫,所述研磨垫上设置有研磨流体;及
以激光光束扫描所述研磨垫的研磨表面,以于所述研磨表面中形成沟槽图案,其中所述激光光束具有对所述研磨流体为实质上透明、但与所述研磨垫的材料反应的波长。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造