[发明专利]SiC外延晶片的制造方法

摘要

本发明提高在第1温度和第2温度下进行SiC外延生长时、可以抑制升温中的台阶聚束等的表面缺陷的产生的SiC外延晶片的制造方法。具备：向以带有不足5°的偏离角的4H‑SiC(0001)作为主面的SiC块状衬底上供给Si供给气体和C供给气体、在1480℃以上1530℃以下的第1温度进行第1外延生长的第1工序；停止Si供给气体和C供给气体的供给、将SiC块状衬底从第1温度向第2温度升温的第2工序；向在第2工序中被升温了的SiC块状衬底上供给Si供给气体和C供给气体、在第2温度下进行第2外延生长的第3工序。 1

主权项

1.一种SiC外延晶片的制造方法，具备：

向以带有不足5°的偏离角的4H‑SiC(0001)作为主面的SiC块状衬底上供给Si供给气体和C供给气体、在为1480℃以上1530℃以下的第1温度下进行第1外延生长的第1工序；

停止所述Si供给气体和所述C供给气体的供给、将所述SiC块状衬底从所述第1温度升温至比所述第1温度高的第2温度的第2工序；和

向在所述第2工序中被升温了的所述SiC块状衬底上供给所述Si供给气体和所述C供给气体、在所述第2温度下进行第2外延生长的第3工序。

2.如权利要求1所述的SiC外延晶片的制造方法，其特征在于，在还原性气体氛围中进行所述第2工序。

3.如权利要求1所述的SiC外延晶片的制造方法，其特征在于，在添加了氯系气体的还原性气体氛围中进行所述第2工序。

4.如权利要求1～3的任一项所述的SiC外延晶片的制造方法，其特征在于，所述第2温度为1630℃以上。

5.如权利要求1～3的任一项所述的SiC外延晶片的制造方法，其特征在于，所述第1工序进一步供给N型掺杂气体。

6.如权利要求1～3的任一项所述的SiC外延晶片的制造方法，其特征在于，所述第3工序进一步供给N型掺杂气体。